爱普生晶振以音叉型石英晶体谐振器,(32.768KHZ)系列出名,目前爱普生品牌遍布全世界,而千赫兹的晶体应用范围也比较广阔,所有的时记产品都需要用上KHZ系列晶体,该系列产品具有小型,薄型石英晶体振荡器,特别适用于有小型化要求的市场领域.是对应陶瓷晶振(偏差大)和通常的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比出色的产品.最适用于HDD, SSD, USB数码产品,播放器、数码相机、笔记本电脑、移动电话等.等用途.
爱普生株式会社爱普生拓优科梦,(EPSON — YOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶体,1996年2月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界500强企业.
EPSON晶体,有源晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振,石英晶振的研磨技术:通过对晶振切割整形后的晶片进行研磨,使石英晶振的晶片达到(厚度/频率)的一定范围。石英晶振晶片厚度与频率的关系为:在压电晶体行业,生产晶振频率的高低是显示鸿星技术水平的一个方面,通过理论与实际相结合,累积多年的晶振研磨经验,通过深入细致地完善石英晶振研磨工艺技术,注重贴片晶振研磨过程的各种细节,注重晶振所用精磨研磨设备的选择;
5032mm体积的石英晶体振荡器,贴片振荡器,该产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊盘,及IR回流焊盘(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
爱普生晶振规格 |
SG5032VAN晶振 |
驱动输出 |
LVDS |
常用频率 |
73.5~700MHZ |
工作电压 |
+2.5~+3.3V(代表値) |
静态电流 |
(工作时)+1.2 mA max. (F≦15MHz)+1.4 mA max. (15<F≦26MHz) |
TCXO输出电压 |
0.8Vp-p min. |
TCXO输出负载 |
(10kΩ//10pF) ±10% |
常规温度偏差 |
±20/30/50×10-6(After 2 reflows) |
频率温度偏差 |
±30×10-6/-40℃~+85℃ |
±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション) |
爱普生日产有源兆赫兹晶振型号列表:
爱普生日产有源兆赫兹晶振编码列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG3225EAN
174.703100 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG3225EAN
320.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG3225EAN
500.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG3225EAN
161.132812 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG5032VAN
100.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG5032VAN
125.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG5032VAN
125.006250 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG5032VAN
200.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0042510113
SG3225EAN
174.703100 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042510114
SG3225EAN
320.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042510115
SG3225EAN
500.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042510121
SG3225EAN
161.132812 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610001
SG5032VAN
100.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610002
SG5032VAN
125.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610003
SG5032VAN
125.006250 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610005
SG5032VAN
200.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
耐焊性:将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至进口晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。EPSON晶体,有源晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振
日产晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等。
存储事项:(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存贴片晶体时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。 正常温度和湿度: 温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。
测试条件:(1)电源电压:超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线).EPSON晶体,有源晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振
负载电容:如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致通讯产品晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示电路的杂散电容。
此外,振荡频率与测量点不同。1。测量有源贴片晶振缓冲输出2。振荡级输出测量三.通过电容器测量振荡级输出图5示出以上1-3个测量点和所测量的除缓冲器输出外,振荡频率较低。