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EPSON晶体,有源晶振,SG5032EAN晶振,X1G0042710001晶振

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产品简介

小型表面贴片晶振型,是标准的石英晶体振荡器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应73.5MHz以上的频率,在电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

产品详情

因此除了KHZ,MHZ的研究发展,另外还发明GHZ技术,使工艺技术达到人无完人,史前无例,实现以基波方式产生2.5GHz为止高频的表面声波(SAW)元器件.爱普生拓优科梦把半导体(IC)称之为“产业之米”,并认为石英晶体元器件更是离不开的“产业之盐”.将进一步致力于小型、高稳定、高精度晶体元器件的开发,为现有的应用程序以及生活新蓝图开拓广阔前景.  爱普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶振元器件已以23%的市场占有率位于业界第一.

爱普生晶振以音叉型石英晶体谐振器,(32.768KHZ)系列出名,目前爱普生品牌遍布全世界,而千赫兹的晶体应用范围也比较广阔,所有的时记产品都需要用上KHZ系列晶体,该系列产品具有小型,薄型石英晶体振荡器,特别适用于有小型化要求的市场领域.是对应陶瓷晶振(偏差大)和通常的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比出色的产品.最适用于HDD, SSD, USB数码产品,播放器、数码相机、笔记本电脑、移动电话等.等用途.

EPSON晶体,有源晶振,SG5032EAN晶振,X1G0042710001晶振,智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等数码产品类别,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅工作的高温回流温度曲线要求.

石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。

爱普生晶振规格

SG5032EAN晶振

驱动输出

LV-PECL

常用频率

73.5~700MHZ

工作电压

+2.5~+3.3V(代表値)
電源電圧は+1.7V+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能

静态电流

(工作时)+1.2 mA max. (F15MHz)+1.4 mA max. (15F26MHz)
+1.6 mA max. (F26MHz)(スタンバイ時)+1μA以下

TCXO输出电压

0.8Vp-p min.

TCXO输出负载

10kΩ//10pF) ±10

常规温度偏差

±20/30/50×10-6(After 2 reflows)

频率温度偏差

±30×10-6/-40℃~+85

±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション)

爱普生日产有源兆赫兹晶振型号列表:

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
SG5032VAN 122.880000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG5032VAN 153.600000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG5032VAN 307.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG5032VAN 614.400000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG5032EAN 125.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 65.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG5032EAN 125.006250 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 65.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG5032EAN 100.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 65.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG5032EAN 200.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 65.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
爱普生日产有源兆赫兹晶振编码列表:

Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Product Number
Model Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
X1G0042610106 SG5032VAN 122.880000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042610107 SG5032VAN 153.600000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042610108 SG5032VAN 307.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042610109 SG5032VAN 614.400000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042710001 SG5032EAN 125.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 65.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042710002 SG5032EAN 125.006250 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 65.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042710004 SG5032EAN 100.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 65.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042710005 SG5032EAN 200.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 65.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %

SG3225EAN VAN 3225 5032 7050

金属面晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等。

存储事项:(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存5032晶体时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。 正常温度和湿度: 温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。

耐焊性:将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至贴片进口晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。

负载电容:如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示电路的杂散电容。EPSON晶体,有源晶振,SG5032EAN晶振,X1G0042710001晶振

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测试条件:(1)电源电压:超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量日本晶体振荡器频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线).

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振荡电路的检查方法:振荡频率测量:必须尽可能地测量安装六脚贴片晶振在电路上的谐振器的振荡频率的真实值,使用正确的方法。在振荡频率的测量中,通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。有三种频率测量模式,如下面的图所示(图)。2, 3和4)。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。

接触振荡电路:探针不影响图2,因为缓冲器的输出是通过5032贴片晶振输入振荡电路的输出来测量的。逆变器进入下一阶段。探针不影响图3,因为在IC上测量缓冲器输出(1/1、1/2等)。图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况,由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。输出点之间的电容(3 pF以下XTAL终端IC)和探针。然而,应该注意到,使用这种方法输出波形较小,测量不能依赖于即使示波器能检查振荡波形,频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下,使用放大器来测量。

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