Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振荡器,6G通信晶振,Renesas晶振,XL进口有源晶振,XLL53V52.000000I晶振,5032mm晶振,VCXO振荡器,LVDS输出差分晶振,频率52MHz,工作温度-40~85°C,电压3.3V,低相噪晶振,低抖动晶振,6G通信晶振,网络终端晶振,数据中心晶振,高速转换器晶振.
Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振荡器,6G通信晶振特点:
•输出类型:LVDS, LVPECL, LVCMOS
•相位抖动(12kHz至20MHz): 750fs至890fs典型
•供电电压:2.5V或3.3V
•包装选项:
•3.2 × 2.5 × 1.0 mm (VCXO不可用)
•5.0 × 3.2 × 1.2毫米
•7.0 × 5.0 × 1.3 mm
•工作温度:-20℃~ +70℃
•频率稳定性选项:±20,±25,±50,或±100 ppm(仅XO)
•±50ppm APR(仅限VCXO)
•工作温度:-40°C至+85°C
•频率稳定性选项:±25,±50,或±100 ppm(仅XO)
•±50ppm APR(仅限VCXO)
•工作温度:-40°C至+105°C(仅XO)
•频率稳定性选项:±50或±100ppm
•kV 85ppm/伏,典型范围从0.5VDC到VDD(仅限VCXO)
•Vc范围线性度优于±10%
Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振荡器,6G通信晶振参数表
项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 |
额定频率 | f_nom | 52MHz | 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 | Vcc | 3.3V±0.3V |
|
储存温度 | T_stg | -55℃~+125℃ | 裸存 |
工作温度 | T_use | -40℃~ +85℃ |
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频率公差(标准) | f_tol | ±100 ppm | +25℃,超出标准的规格说明请联系我们以便获取相关信息 |
供电电流 | IDD | 47mA Max | LVDS 40+MHz to 220MHz |
差分输出电压 | VOD | 0.6V Max | VDD = 3.3V ±5%. |
对称性 | SYM | 47%~53% | Atoutputscrossing point |
输出负载 | L_LVDS | 100Ω | LVDSDifferential. |
输入电压 | VIH | 70%VDD Min | LVDS |
VIL | 30%VDD Max | ||
上升下降时间 | tr/tf | 400ps Max | LVDS 20% to 80% Vpp |
起始时间 | t str | 10ms Max |
VDD达到最小指定水平后输出有效时间 |
周期抖动 | JPER |
3ps Typ |
LVDS |
相位抖动 | tpj | 890 fs Typ | 12KHZ~20MHz |
老化 | f_aging | ±3ppm/year | +25℃,第一年 |
Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振荡器,6G通信晶振尺寸图