希华晶体科技成立于1988年,专精于石英频率控制元件之研发、设计、生产与销售。从人工晶棒长成到最终产品,透过最佳团队组合及先进之生产技术,建立完整的产品线,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶体、晶体振荡器、晶体滤波器、温度补偿型及电压控制型产品等,以健全的供应炼系统,为客户提供全方位的服务。藉由台湾、日本、大陆三地的产品设计开发与制程资源整合,不断开发创新及制程改造,以全系列完整产品线,来满足客户对石英元件多样化的需求。积极地透过产学合作与配合国外技术引进开发新产品,多角化经营、扩大市场领域,此亦为公司得以永续经营的方针。
2003年通过ISO14001环境管理系统验证,秉持“污染预防、持续改善”之原则,公司事业废弃物产出量逐年降低,可回收、再利用之废弃物比例逐年提高,各项石英晶体谐振器排放检测数据符合政府法规要求。并由原材料管控禁用或限用环境危害物质与国际大厂对于绿色生产及绿色产品的要求相符,于2004年通过SONY 绿色伙伴(Green Partner)验证。希华晶体科技本于‘善尽企业责任、降低环境冲击、提升员工健康’的理念,执行各项环境及职业安全卫生管理工作;落实公司环安卫政策要求使环境暨安全卫生管理成效日益显著,不仅符合国内环保、劳安法令要求,同时也能达到国际环保、安全卫生标准。
希华晶振,贴片晶振,GX-50324晶振,台产谐振器,二脚SMD陶瓷面贴片晶振,表面陶瓷封装,其实是属于压电石英晶振,是高可靠的环保性能,严格的频率分选,编带盘装,可应用于高速自动贴片机焊接,产品本身设计合理,成本和性能良好,产品被广泛应用于平板电脑,MP5,数码相机,USB接口最佳选择,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的铅.
石英晶振离子刻蚀调频技术:白片频率(腐蚀频率): 如 14.560000 MHz (是 14.318180 腐蚀片中心频率)蒸镀目标频率: 标称频率±1000 PPM。(蒸镀微调、离子微调)3.3.1、Space:被银时放置石英晶振晶片的治具。根据贴片晶振晶片的直径(长度、宽度)、厚度选用合适尺寸的Space,尺寸过大容易造成被银电极偏位,尺寸偏小容易造成石英晶振晶片破碎和被银后贴片晶振晶片不宜取出。3.3.2、MASK:被银电极。一般情况下,石英晶振频率低选用大尺寸 MASK,贴片晶振频率高选用小尺寸MASK,对同一规格产品 MASK 大、C0 大、电阻小。MASK 小、C0 小、电阻大。对有特殊要求(如 C0、C1、C0/C1、TS 等)的产品,在计算和试验的基础上选用合适的 MASK。对高频产品(尤其是高频 Fund)Mask 大,产品容易产生寄生。
希华晶振 |
单位 |
GX-50324晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
45000MHz~60.000MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-10°C~+85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推荐:10μW~100μW |
频率公差 |
f_— l |
±30~ ±50× 10-6(标准) |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±10,±50,±100× 10-6/-10°C~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
10,12,16,18,20PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C~ +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
所有产品的共同点1:抗冲击:抗冲击是指进口晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。 2:辐射:将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。 3:化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。希华晶振,贴片晶振,GX-50324晶振,台产谐振器
4:粘合剂:请勿使用可能导致石英SMD晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。) 5:卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6:静电:过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
耐焊性:将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。
振荡补偿:除非在5032贴片晶振振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。希华晶振,贴片晶振,GX-50324晶振,台产谐振器
测试条件(1)电源电压:超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过5032陶瓷谐振器振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线).
晶体谐振腔的形式模式,但5032陶瓷面贴片晶振泛音振荡或基波。振荡开始代替。在基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制电阻值(RD)取决于谐振器的类型,频带和设备的价值。电容器(C1,C2)。精确值是通过5032二脚晶振测量振荡电路的特性来确定的(包括负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。