微晶,1978年成立于瑞士格伦兴,为Swatch Group的供货商,提供手表音叉式晶体的产品。微晶在瑞士、泰国建有生产中心,及遍布世界各地的代表处。我们所有的产品都得到ISO9001和ISO14001的认证,并达到RoHS,REACh等规范的要求。而今,微晶已经发展成为一家在微型音叉式石英晶体(32kHz ~ 250MHz)、实时时钟模块、温补晶振和OCXO等多个领域的领导供货商。
微晶的管理团队以及领导的工作人员。职位提供了一个积极的例子,在所有领域的质量行为。公司。他们激励员工始终如一地思考问题。质量与成本。全球约550个员工的责任感和奉献精神是我们成功的基石。我们对管理、环境、社会责任都有明确的行为准则(比如对有争议的原材料的问题上),这些是我们在未来保持竞争优势的主要原因。
微晶晶振,石英水晶振动子,CC1A-T1A晶振.小型表面贴片晶振型,是标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应8.000MHz以上的频率,在电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计,滚筒的曲率半径,滚筒的长短,使用的研磨砂的型号,多少,填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.
微晶晶振 |
单位 |
CC1A-T1A晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
8.000MHZ~30.000MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
100/500μW Max. |
推荐:1μW~100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准) |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
20PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。微晶晶振,压电石英晶体谐振器,CC2A-T1A晶振
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用耐高温晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致进口石英晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致音叉晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。
设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示瑞士进口晶振的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振荡补偿
除非在5032mm无源晶振振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3. 负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致5032贴片晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。微晶晶振,压电石英晶体谐振器,CC2A-T1A晶振
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考