Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas)。设计、营销与工程中心位于普拉诺、米尔皮塔斯、台湾台北;台湾桃园市、台湾竹北市、英国曼彻斯特及德国纽豪斯 (Neuhaus)。该公司生产设施已达到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 认证的品质奖。Diodes 公司目前拥有 C-TPAT 认证。
百利通亚陶晶振集团将有效率的使用自然资源和能源,以便从源头减少废物产生和排放.我们将在关注于预防环境和安全事故,保护公众健康的同时,努力改进我们的操作.我公司将积极参与加强公众环境、健康和安全意识的活动,提高公众对普遍的环境、健康和安全问题的注意. 我们将依据技术进步以及对安全、健康和环境科学全新的解释持续地改进我们的业务.
百利通亚陶晶振,贴片晶振,F9晶振.5032mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接(产品无铅对应),为无铅产品.
亚陶石英晶振的切型。采用高速线切割技术:1.优化及严格规范线切割机各项设备参数;2.通过试验精选所使用的各类线切割料,如:磨料、线切割线、槽轮等;3.确认最优的石英晶振切割工艺参数。通过以上方法使切割出的贴片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了石英晶振晶片的精度,提高了生产效率。
亚陶晶振 |
单位 |
F9晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
8.000MHz~125.000MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-20°C~+70°C/-40°C~+85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
10μW Max. |
推荐:10μW~100μW |
频率公差 |
f_— l |
±10×10-6(标准), |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30~±50× 10-6/-40°C~+85°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF~32pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C,DL=100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
抗冲击
贴片晶振可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
辐射
暴露于辐射环境会导致石英晶体性能受到损害,因此应避免照射。
化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解进口晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致SMD晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 (比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用无源晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
静电
过高的静电可能会损坏石英晶体谐振器,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
1、振荡电路
是无源元件,因此受到电源电压、环境温度、电路的影响。
配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和
异常运行。因此,在振荡电路的设计中,先决条件之一是如何确定振荡电路。
晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后,后续的项目,例如
讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。
2。角色的分量与参考值
在振荡电路的设计中,必须认识到个体的作用。
组件.在表1中,以例如振荡电路为例来描述角色。
(图1)使用一个通用的C-MOS IC(74hcuo4ap东芝)。
当反馈电阻(rf)未安装在振荡电路中时,如图所示
表1,即使在振荡功率作用下,也不会启动振荡。
电路。除非有适当值的电阻器连接,否则振荡不会启动。
晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。
振荡开始代替。在基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米。在
泛音谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。
在音叉式谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米。
限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。
电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。
C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有
给定负载能力。百利通亚陶晶振,贴片晶振,FLQ晶振
适当的控制电阻值(RD)取决于台湾晶体谐振器的类型,频带和设备的价值。
电容器(C1,C2)。精确值是通过测量振荡电路的特性来确定的(包括
负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。
音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K。
安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和
振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。