村田晶振制作所基于高尚的企业道德,遵循其经营理念,以继续成为受社会信赖的公司为目标,承诺遵守法律和法规,实施高度透明的管理、尊重人权、维护健康与安全、为社会发展和环境保护做出贡献.2009年度,根据环境管理体系中的规定,村田晶振集团在其日本国内的所有事业所和海外的所有生产基地中,建立了村田晶振,石英晶体,陶瓷谐振器,村田振荡子绿色经营活动的框架,通过共享与绿色经营有关的信息,致力于开展有效的和实际效果大的环保活动,并强化企业的管治能力.
村田晶振从设计阶段开始减少环保负荷的体制建设,村田晶振由环保主管董事担任整个集团的环保活动的总负责人,由环保部跨事业所支持和促进环保活动.此外,社长的咨询机构—环保委员会,还针对各村田晶振,陶瓷谐振器,村田陶瓷晶振,陶瓷振荡子,村田石英晶振据点的活动情况和全公司的环保课题进行议论和探讨.此外,为大力推进二氧化碳减排活动,设立了“防止全球变暖委员会”,加快设计、开发和生产过程中CO2减排活动的步伐.2010年3月完成了对日本村田晶振在国内全部事业所和海外全部陶瓷晶振,陶瓷谐振器,村田陶瓷振荡子生产据点的环保管理系统整合.通过所构建的国际化环保管理系统,进一步强化了村田晶振集团的管制,能够推进更加有效且具有更高实效性的环保活动.而且,以往我们都以各事业所为单位进行PDCA循环,从2012年起,我们把多家事业所作为一个管理单位,不断推动着PDCA循环的卫星化.
村田晶振,TSS-3225J晶振,XRCJK12M000F1QB4P0晶振,3225mm体积贴片晶振适用于汽车电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于汽车电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
进口石英晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。
TXC晶振 |
单位 |
TSS-3225J晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
12MHZ |
标准频率 |
工作温度 |
T_use |
-30°C~+85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
100μW Max. |
推荐:100μW |
频率公差 |
f_— l |
±10×10-6(标准) |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
(±15)×10-6/-20°C~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
100 |
|
频率老化 |
f_age |
±3×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性:将无源石英晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。村田晶振,TSS-3225J晶振,XRCJK12M000F1QB4P0晶振
每个封装类型的注意事项:陶瓷包装进口晶振与SON产品在焊接陶瓷封装晶振和SON产品 (陶瓷包装是指晶振外观采用陶瓷制品) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂(开裂)。尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法。
陶瓷包装石英SMD晶振:在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷封装石英晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。(2)陶瓷封装贴片晶振:在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷封装贴片晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。
负载电容:如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中3225贴片晶振的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示电路的杂散电容。村田晶振,TSS-3225J晶振,XRCJK12M000F1QB4P0晶振
测试条件:(1) 电源电压? 超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。? 电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2) 其他? 输入电容低于 15 pF? 5倍频率范围或更多测量频率。? 铅探头应尽可能短。? 测量汽车电子晶振频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3) 其他? CL包含探头电容。? 应使用带有小的内部阻抗的电表。? 使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线).
振荡频率测量:必须尽可能地测量安装在电路上的谐振器的振荡频率的真实值,使用正确的方法。在振荡频率的测量中,通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对3225mm贴片晶振振荡电路本身的影响来测量。有三种频率测量模式,如下面的图所示(图)。2, 3和4)。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。