Statek晶振公司是设计和制造高可靠性频率控制产品的领导者,它宣布了DFXO石英晶体振荡器的发布。微分输出石英晶体振荡器可用LVDS和LVPECL输出。这5毫米x7毫米高频(20 MHz到300mhz)振荡器的特点是低相位噪声和低相位抖动,达到155.52 MHz的基本晶体频率。适用于Xilinx FPGA参考时钟应用。提出了扩展工业温度范围(-40°C + 105°C)。内部解耦电容;不需要外部电容器。
超小型、超低频石英晶振晶片的边缘处理技术:是超小型、超低频石英晶振晶体元器件研发及生产必须解决的技术问题,为压电石英晶体行业的技术难题之一。具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使石英晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定。
STATEK晶振 |
单位 |
CX11L晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
16~26.5MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-10°C~+125°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:200μW |
频率公差 |
f_— l |
±100 × 10-6(标准), |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-55°C~+200°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
10pF |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-55°C — +200°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
晶振产品使用每种产品时,请在石英进口晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。
晶振产品的设计和生产直到出厂,都会经过严格的测试检测来满足它的规格要求。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高的可靠性的无源SMD晶振.但是为了石英晶振的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安 装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用石英晶振所导致的不良不负任何责任。
此外,振荡频率与测量点不同。1。测量缓冲输出2。振荡级输出测量三.通过无源贴片晶振电容器测量振荡级输出图5示出以上1-3个测量点和所测量的除缓冲器输出外,振荡频率较低。Statek晶振,贴片晶振,CX11L晶振,石英SMD谐振器
驱动能力:驱动能力说明小体积陶瓷面晶振振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过晶体单元的电流,Re表示晶体单元的有效电阻,而且Re=R1(1+Co/CL).
晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。K?-?几十K。在3215石英晶体谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制电阻值(RD)取决于晶体谐振器的类型,频带和设备的价值。电容器(C1,C2)。精确值是通过测量振荡电路的特性来确定的(包括负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。