2016mm超薄型四脚晶振,进口晶体谐振器,ABM11晶振

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Abracon工程副总裁Syed Raza评论说:“半导体技术致力于将所有的功耗从最新一代的MCU和RF芯片组中扭转出来，芯片上的皮尔斯振荡器缺乏必要的增益，对gm_critical指标产生不利影响。 PAS测试是诊断可预防问题的最可靠的方法”ABRACON旗舰ABLNO系列提供超低相位噪声固定时钟或电压控制晶体振荡器（VCXO）解决方案标准尺寸为9x14mm。同超过12 kHz的37fs典型RMS抖动20MHz带宽@ 100MHz载波，ABLNO是性能驱动的理想选择通讯，射频，无线回程，和仪器应用。
什么使IoT打勾？ Abracon的低等效串联电阻（ESR）和低负载电镀电容（CL）晶体是绿色和节能MCU和便携式通信的理想选择芯片组。在降低功耗的竞争中，许多片上振荡器正在被匮乏输出驱动，通常不能使用标准晶体维持振荡。 Abracon的最新系列用于微功率应用的石英晶体克服了这些挑战。

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Abracon晶振,石英晶振,ABM11晶振.2.0*1.6*0.59mm超小型,超薄型,重量轻金属壳封装的四脚贴片型石英晶体,是近年来晶振市场上最受欢迎的产品,来自于美国的Abracon生产的这款ABM11晶振自研发成功并投入量产以来,受到多方面的关注,使用用户遍布全球七十多个国家及地区,被广泛应用于无线蓝牙,寻呼机,通讯设备,蜂窝电话和PCMCIA等领域.
晶振高精密点胶技术：石英晶振晶片胶点的位置、大小：位置准确度以及胶点大小一致性，通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使石英晶振晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。将被上银电极的晶片装在弹簧支架上，点上导电胶，并高温固化，通过弹簧即可引出电信号。导电胶应注意有效期、储存温度、开盖次数、充分搅拌、室温放置时间、烤胶最高温度、烤胶时间、升温速率、升温起始最高温度。

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Abracon晶振	单位	ABM11晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	16.000MHZ~50.000MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C～+85°C	裸存
工作温度	T_use	-10°C～+60°C	标准温度
激励功率	DL	100μW Max.	推荐:1μW～100μW
频率公差	f_— l	±30 × 10-6(标准)	+25°C对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±50 × 10-6/-20°C～+70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	10pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

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ABM11 2016

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超声波清洗
（1）使用AT-切割晶体和表面声波（SAW）谐振器/声表面滤波器的产品，可以通过超声波进行清洗。但是，在某些条件下，晶体特性可能会受到影响，而且内部线路可能受到损坏。确保已事先检查系统的适用性。Abracon晶振,石英晶振,ABM11晶振
（2）使用音叉晶体和陀螺仪传感器的产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗，因为晶体可能受到破坏。
（3）请勿清洗开启式产品
（4）对于可清洗产品，应避免使用可能对石英水晶谐振器产生负面影响的清洗剂或溶剂等。
（5）焊料助焊剂的残留会吸收水分并凝固。这会引起诸如位移等其它现象。这将会负面影响晶振的可靠性和质量。请清理残余的助焊剂并烘干PCB。
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具，夹具直接接触IC的表面。
使用环境（温度和湿度）
请在规定的温度范围内使用耐高温晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下，会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力，会导致石英晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率（请参阅“激励功率”章节内容）。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻，否则振荡或振荡启动时间可能会增加（请参阅“关于振荡”章节内容）。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同，可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整，可能只会导致不正常的振荡。在使用之前，请指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）。

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1、振荡电路
晶体谐振器是无源元件，因此受到电源电压、环境温度、电路的影响。
配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和
异常运行。因此，在振荡电路的设计中，先决条件之一是如何确定振荡电路。
晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后，后续的项目，例如
讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。
2。角色的分量与参考值
在振荡电路的设计中，必须认识到个体的作用。
组件.在表1中，以例如振荡电路为例来描述角色。
（图1）使用一个通用的C-MOS IC（74hcuo4ap东芝）。
当反馈电阻（rf）未安装在振荡电路中时，如图所示
表1，即使在振荡功率作用下，谐振器也不会启动振荡。
电路。除非有适当值的电阻器连接，否则振荡不会启动。

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晶体谐振腔的形式模式，但泛音振荡或基波。
振荡开始代替。在基本谐振的情况下（MHz频段）反馈电阻通常是1米?。在
泛音谐振器（兆赫频带）的情况下，值取决于IC和频率特性，但在几个范围内。
K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例（kHz频段），需要连接一个电阻10米或更?。

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限制流入谐振器的电流，调节负电阻和励磁。
电平，防止谐振腔的反常振荡，抑制频率波动。
C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有
给定负载能力。
适当的控制电阻值（RD）取决于谐振器的类型，频带和设备的价值。
电容器（C1，C2）。精确值是通过测量振荡电路的特性来确定的（包括
负电阻和驱动级）。AT切割谐振器（兆赫频带）的参考值在几个范围内。
?几K?。音叉式谐振器（kHz频段）的参考值在100 K?几K?范围。Abracon晶振,石英晶振,ABM11晶振
安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和
振荡的顺序，在3 pF的范围内- 33 pF左右，仅供参考。

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