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ILSI晶振,石英晶振,38晶振,插件晶振

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产品简介

引脚焊接型石英晶体元件.工厂仓库长时间大量库存常用频点,高精度的频率和晶振本身更低的等效串联电阻,常用负载电容.49/U石英晶振,因插件型晶体成本更低和更高的批量生产能力,主要应用于电视,机顶盒,LCDM和游戏机家用常规电器数码产品等的最佳选择.符合RoHS/无铅.

产品详情

ILSI America成立于1987年,总部位于加州科斯塔梅萨。当时的商业模式很简单,成为石英晶体和时钟振荡器的供应商,以支持北美频率控制市场,在随后的29年中,随着全球频率控制产品市场需求呈指数级增长和全球化,ILSI通过有机增长和收购应对不断变化的市场和客户群。
1995年,ILSI晶振公司北京中国办事处开业。1998年,ILSI美国公司搬迁到它现在的位置,这是一个位于内华达州里诺的10,000平方英尺的世界总部。1999年,ILSI香港中海物流中心开业。2007年ILSI韩国办事处的开业完成了我们在美国和亚洲提供真正实体店的目标,这些实体由直接员工提供,以支持我们在北美,墨西哥,亚洲和欧洲快速增长的客户群。

ILSI晶振,石英晶振,38晶振,插件晶振,插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,高耐热性,耐热循环性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/U形晶体谐振器的底部装了树脂底座,就可作为产品电气特性和高可靠性无受损的表面贴片型晶体谐振器使用,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

压电石英晶体在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高。对于晶振的条片,长边为 X 轴,短边为 Z 轴,面为 Y 轴。对于圆片晶振,X、Z 轴较难区分,所以石英晶振对精度要求高的产品(如部分定单的 UM-1),会在 X 轴方向进行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的装架点胶,点胶点点在 Z 轴上。保证晶振产品的温度特性。无线石英谐振器,薄型4025进口晶振,KX-8晶振

ILSI晶振

单位

38晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

30~192MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C~+85°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C~+85°C

标准温度

激励功率

DL

1μW Max.

推荐:1μW

频率公差

f_— l

±20× 10-6

+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/

频率温度特征

f_tem

-0.034~100× 10-6/-30°C~+85°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

12.5PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C~+85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±5× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

38

无线石英谐振器,薄型4025进口晶振,KX-8晶振

所有产品的共同点:1:抗冲击:抗冲击是指贴片进口晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。 2:辐射:将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。 3:化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。ILSI晶振,石英晶振,38晶振,插件晶振

4:粘合剂:请勿使用可能导致无源石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。) 5:卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6:静电:过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。

晶振产品使用每种产品时,请在进口石英晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。无线石英谐振器,薄型4025进口晶振,KX-8晶振

测试条件:(1)电源电压:超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量美国圆柱DIP进口晶振频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线).ILSI晶振,石英晶振,38晶振,插件晶振

进口陶瓷面石英晶体,大型8038SMD晶振,60609晶振

1.振荡电路:晶体谐振器是无源元件,因此受到圆柱插件晶振电源电压、环境温度、电路的影响。配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和异常运行。因此,在振荡电路的设计中,先决条件之一是如何确定振荡电路。晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后,后续的项目,例如讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。

2.角色的分量与参考值:在振荡电路的设计中,必须认识到3*8插件晶振个体的作用。组件.在表1中,以例如振荡电路为例来描述角色。(图1)使用一个通用的C-MOS IC(74hcuo4ap东芝)。当反馈电阻(rf)未安装在振荡电路中时,如图所示表1,即使在振荡功率作用下,谐振器也不会启动振荡。电路。除非有适当值的电阻器连接,否则振荡不会启动.

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此外,振荡频率与测量点不同。1。测量KHZ千赫晶体缓冲输出2。振荡级输出测量三.通过电容器测量振荡级输出图5示出以上1-3个测量点和所测量的除缓冲器输出外,振荡频率较低。无线石英谐振器,薄型4025进口晶振,KX-8晶振

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