XO75HCSL-125M000-B50B3,Fortiming晶振,6G模块差分晶振

产品简介

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产品详情

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XO75HCSL-125M000-B50B3,Fortiming晶振,6G模块差分晶振特点：

-符合RoHS标准(无铅)，HCSL兼容输出
-专为PCI Express应用程序，英特尔芯片组等设计。
-极低相位抖动，无内部锁相环，避免级联锁相环问题
-免费输出，三状态启用/禁用标准，7x5x1.8 mm SMD封装

高端数码电子谐振器,8045陶瓷壳2P晶振,NX8045GE晶振

XO75HCSL-125M000-B50B3,Fortiming晶振,6G模块差分晶振规格表

项目	规格说明
额定频率	125MHz
输入电压	+3.3 VDC ±10%
输入电流	30 mA Maximumfor 3.3V
储存温度	-55°C to 125°C
总体频率稳定性	±50 ppm
工作温度	-40℃~ +85℃
标准稳定常数	50A = ±50 ppm / 0°C to 70°C
电动选项(对称)	Tristate 55/45%
输出负载	50 Ohms
逻辑“1”级（Voh）	660 mV (Min), 740 mV (Typ), 850 mV (Max)
逻辑“0”级（Vol）	-150 mV (Min), 0 mV (Typ), 150 mV (Max)
上升/下降时间(Tr/Tf)	0.5 ns Maximum, at 20% to 80% Vp-p
启动时间	2ms Maximum
相位抖动(RMS, 1 Sigma)	1 ps Max for fj = 12KHz to 20MHz