EPSON晶体,有源晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振

小型贴片有源晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,贴片高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和各式IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等数码领域,符合RoHS/无铅.

爱普生株式会社爱普生拓优科梦,（EPSON — YOCOM）1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产有源晶振,1996年2月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界500强企业.

日本精工爱普生接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件（苏州）有限公司】 爱普生拓优科梦（Epson Toyocom）是精工爱普生株式会社与爱普生（中国）有限公司共同投资成立的有限责任公司（外商合资）.目前注册资本2500万美金.现员工人数:1500人.主要从事压电石英晶体系列产品的生产,投资初期主要生产32.768KHZ系列产品,从2009年起32.768K系列产品转向马来西亚量产.苏州爱普生工厂就以生产高端的石英晶体振荡器为主,普通石英晶体谐振器为辅.

EPSON晶体,有源晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振,石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求，贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高。对于晶振的条片，长边为 X 轴，短边为 Z 轴，面为 Y 轴。对于圆片晶振，X、Z 轴较难区分，所以石英晶振对精度要求高的产品（如部分定单的 UM-1），会在 X 轴方向进行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的装架点胶，点胶点点在 Z 轴上。保证晶振产品的温度特性。

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品石英晶振被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

爱普生晶振规格	SG-210SDBA晶振
驱动输出	CMOS
常用频率	2~60MHZ
工作电压	+2.5V（代表値） 電源電圧は+1.7V～+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能
静态电流	（工作时）+1.2 mA max. (F≦15MHz)+1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） +1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時）+1μA以下
TCXO输出电压	0.8Vp-p min.
TCXO输出负载	（10kΩ//10pF) ±10％
常规温度偏差	±20/30/50×10-6(After 2 reflows)
频率温度偏差	±30×10-6/-40℃～+85℃
	±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション）

爱普生日产有源兆赫兹晶振型号列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG-210SCBA	12.288000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210SCBA	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210SCBA	16.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210SCBA	11.059200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 4.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SDBA	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SDBA	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SDBA	16.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SDBA	16.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %

爱普生日产有源兆赫兹晶振编码列表：

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G004591A078	SG-210SCBA	12.288000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G004591A081	SG-210SCBA	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G004591A082	SG-210SCBA	16.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G004591A602	SG-210SCBA	11.059200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 4.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004601A002	SG-210SDBA	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004601A003	SG-210SDBA	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004601A004	SG-210SDBA	16.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004601A005	SG-210SDBA	16.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %

如何正确的使用有源晶振电处理：将电源连接到有源晶振指定的终端，确定正确的极性这目录所示。注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振，假如损坏那将不会工作。此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值，就很可能会导致石英晶振产品损坏。所以外接电压很重要，一定要确保使用正确的额定电压的振荡，但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振，或者起不到最佳精度。EPSON晶体,有源晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振

有源晶振的负载电容与阻抗:负载电容与阻抗进口石英晶振设置一个规定的负载阻抗值。当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时，指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形。特别是设置电抗，根据规范的负载阻抗。输出频率和输出电平，当测量输出频率或输出水平，晶体振荡器调整的输入阻抗，测量仪器的负载阻抗晶体振荡器。当输入阻抗的测量仪器，不同的负载阻抗的晶体振荡器，测量输出频率或输出水平高，阻抗阻抗测量可以忽略。

机械处理:当金属面晶振发生外置撞击时，任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时，或者产品不小心跌落时，强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏，或者频率不稳定现象。不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器。如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点。

振荡补偿:除非在振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极电阻。EPSON晶体,有源晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振

测试条件:(1)电源电压:超过 150µs，直到高精度石英晶振电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时，可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）.

振荡电路:晶体谐振器是无源元件，因此受到电源电压、环境温度、电路的影响。配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和异常运行。因此，在振荡电路的设计中，先决条件之一是如何确定进口贴片晶振振荡电路。晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后，后续的项目，例如讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。

角色的分量与参考值:在2520医疗电子晶振振荡电路的设计中，必须认识到个体的作用。组件.在表1中，以例如振荡电路为例来描述角色。（图1）使用一个通用的C-MOS IC（74hcuo4ap东芝）。当反馈电阻（rf）未安装在振荡电路中时，如图所示表1，即使在振荡功率作用下，谐振器也不会启动振荡。电路。除非有适当值的电阻器连接，否则振荡不会启动。