因此除了KHZ,MHZ的研究发展,另外还发明GHZ技术,使工艺技术达到人无完人,史前无例,实现以基波方式产生2.5GHz为止高频的表面声波(SAW)元器件.爱普生拓优科梦把半导体(IC)称之为“产业之米”,并认为贴片晶振元器件更是离不开的“产业之盐”.将进一步致力于小型、高稳定、高精度晶体元器件的开发,为现有的应用程序以及生活新蓝图开拓广阔前景. 爱普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶振元器件已以23%的市场占有率位于业界第一.
爱普生晶振以音叉型石英晶体谐振器,(32.768KHZ)系列出名,目前爱普生品牌遍布全世界,而千赫兹的石英晶体振荡器应用范围也比较广阔,所有的时记产品都需要用上KHZ系列晶体,该系列产品具有小型,薄型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域.是对应陶瓷晶振(偏差大)和通常的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比出色的产品.最适用于HDD, SSD, USB数码产品,播放器、数码相机、笔记本电脑、移动电话等.等用途.
EPSON晶体,有源晶振,SG-210SDD晶振,X1G0029310001晶振,石英晶振的研磨技术:通过对晶振切割整形后的晶片进行研磨,使石英晶振的晶片达到(厚度/频率)的一定范围。石英晶振晶片厚度与频率的关系为:在压电晶体行业,生产晶振频率的高低是显示鸿星技术水平的一个方面,通过理论与实际相结合,累积多年的晶振研磨经验,通过深入细致地完善石英晶振研磨工艺技术,注重贴片晶振研磨过程的各种细节,注重晶振所用精磨研磨设备的选择;
有源晶振,是只压电石英晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
爱普生晶振规格 |
SG-210SDD晶振 |
驱动输出 |
CMOS |
常用频率 |
50~80MHZ |
工作电压 |
+1.8V(代表値) |
静态电流 |
(工作时)+1.2 mA max. (F≦15MHz)+1.4 mA max. (15<F≦26MHz) |
TCXO输出电压 |
0.8Vp-p min. |
TCXO输出负载 |
(10kΩ//10pF) ±10% |
常规温度偏差 |
±20/30/50×10-6(After 2 reflows) |
频率温度偏差 |
±30×10-6/-40℃~+85℃ |
±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション) |
爱普生日产有源兆赫兹晶振型号列表:
爱普生日产有源兆赫兹晶振编码列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SCD
50.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SCD
54.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SCD
77.700000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SCD
63.071918 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SDD
50.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
SG-210SDD
62.500000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
SG-210SDD
62.500000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
SG-210SDD
75.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0029210086
SG-210SCD
50.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0029210087
SG-210SCD
54.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0029210088
SG-210SCD
77.700000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0029210094
SG-210SCD
63.071918 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0029310001
SG-210SDD
50.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
X1G0029310008
SG-210SDD
62.500000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
X1G0029310009
SG-210SDD
62.500000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
X1G0029310010
SG-210SDD
75.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
PCB设计指导:(1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于振荡器器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。(2) 在设计时请参考相应的推荐封装。(3) 在使用焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。EPSON晶体,有源晶振,SG-210SDD晶振,X1G0029310001晶振
存储事项:(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存进口晶振时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。 正常温度和湿度: 温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。
机械振动的影响:当日产晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。
振荡电路:晶体谐振器是无源元件,因此受到电源电压、环境温度、电路的影响。配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和异常运行。因此,在振荡电路的设计中,先决条件之一是如何确定振荡电路。晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后,后续的项目,例如讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。EPSON晶体,有源晶振,SG-210SDD晶振,X1G0029310001晶振
角色的分量与参考值:在贴片型SPXO晶体振荡器振荡电路的设计中,必须认识到个体的作用。组件.在表1中,以例如振荡电路为例来描述角色。(图1)使用一个通用的C-MOS IC(74hcuo4ap东芝)。当反馈电阻(rf)未安装在振荡电路中时,如图所示表1,即使在振荡功率作用下,谐振器也不会启动振荡。电路。除非有适当值的电阻器连接,否则振荡不会启动。
晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在四脚贴片振荡器基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制电阻值(RD)取决于谐振器的类型,频带和设备的价值。电容器(C1,C2)。精确值是通过移动通讯用2520振荡器测量振荡电路的特性来确定的(包括负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。