EPSON晶体,有源晶振,SG5032CCN晶振,X1G0044710003晶振

小型贴片晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,贴片高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和各式IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等数码领域,符合RoHS/无铅.

日本精工爱普生接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件（苏州）有限公司】 爱普生拓优科梦（Epson Toyocom）是精工爱普生株式会社与爱普生（中国）有限公司共同投资成立的有限责任公司（外商合资）.目前注册资本2500万美金.现员工人数:1500人.主要从事石英晶振系列产品的生产,投资初期主要生产32.768KHZ系列产品,从2009年起32.768K系列产品转向马来西亚量产.苏州爱普生工厂就以生产高端的石英晶体振荡器为主,普通石英晶体谐振器为辅.

精工爱普生株式会社（总经理:碓井 稔,以下简称为“爱普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫电子有限公司签订在中国区域深圳总代理签订合作协议,在同年期间苏州爱普生水晶宣布将高端的石英晶体振荡器生产重心转移到中国苏州爱普生工厂生产,并且成立研发中心.因为智能手机,以及GPS卫星导航的普及,有源晶振得到迅速的发展,并且从早期5X7mm的体积演变到今天2520mm体积的温补晶振,压控晶振,以下是有源石英晶体振荡器部分产品型号,爱普生料号等.

EPSON晶体,有源晶振,SG5032CCN晶振,X1G0044710003晶振,石英晶振产品电极的设计：石英晶振产品的电极对于石英晶体元器件来讲作用是1.改变频率；2.往外界引出电极；3.改变电阻；4.抑制杂波。第1、2、3项相对简单，第4项的设计很关键，电极的形状、尺寸、厚度以及电极的种类(如金、银等)都会导致第4项的变化。特别是随着晶振的晶片尺寸的缩小对于晶片电极设计的形状及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等对晶振产品的影响的程度增大，故对电极的设计提出了更精准的要求。

贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面石英晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

爱普生晶振规格	SG5032CCN晶振
驱动输出	CMOS
常用频率	2.5~50MHZ
工作电压	+4.5~+5.5V（代表値） 電源電圧は+1.7V～+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能
静态电流	（工作时）+1.2 mA max. (F≦15MHz)+1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） +1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時）+1μA以下
TCXO输出电压	0.8Vp-p min.
TCXO输出负载	（10kΩ//10pF) ±10％
常规温度偏差	±20/30/50×10-6(After 2 reflows)
频率温度偏差	±30×10-6/-40℃～+85℃
	±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション）

爱普生日产有源兆赫兹晶振型号列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG5032CBN	133.333330 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032CBN	90.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032CBN	148.500000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032CBN	80.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032CCN	32.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
SG5032CCN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
SG5032CCN	8.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
SG5032CCN	16.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %

爱普生日产有源兆赫兹晶振编码列表：

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0044610019	SG5032CBN	133.333330 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044610021	SG5032CBN	90.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044610022	SG5032CBN	148.500000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044610023	SG5032CBN	80.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044710003	SG5032CCN	32.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0044710004	SG5032CCN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0044710005	SG5032CCN	8.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0044710006	SG5032CCN	16.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %

晶振产品使用每种产品时,请在贴片石英晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。EPSON晶体,有源晶振,SG5032CCN晶振,X1G0044710003晶振

晶振产品的设计和生产直到出厂,都会经过严格的测试检测来满足它的规格要求。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高的可靠性的石英晶振.但是为了石英进口晶振的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安 装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用石英晶振所导致的不良不负任何责任。

机械振动的影响:当晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如：压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管OSC晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。

晶体谐振腔的形式模式，但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在基本谐振的情况下（MHz频段）反馈电阻通常是1米。在泛音谐振器（兆赫频带）的情况下，值取决于IC和频率特性，但在几个范围内。在音叉式谐振器的案例（kHz频段），需要连接一个电阻10米。限制流入谐振器的电流，调节负电阻和励磁。电平，防止谐振腔的反常振荡，抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。EPSON晶体,有源晶振,SG5032CCN晶振,X1G0044710003晶振

适当的控制电阻值（RD）取决于CMOS输出5032晶振的类型，频带和设备的价值。电容器（C1，C2）。精确值是通过测量振荡电路的特性来确定的（包括负电阻和驱动级）。AT切割谐振器（兆赫频带）的参考值在几个范围内。音叉式谐振器（kHz频段）的参考值在100 K。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序，在3pF的范围内-33pF左右，仅供参考。

此外，振荡频率与测量点不同。1。测量缓冲输出2。5032低抖动有源晶振振荡级输出测量三.通过电容器测量振荡级输出图5示出以上1-3个测量点和所测量的除缓冲器输出外，振荡频率较低。

振荡补偿:除非在小体积贴片晶振振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极电阻。