Vectron晶振,6035晶振,VXE4晶振

Vectron是频率控制、传感器和混合产品解决方案的首选技术伙伴。我们帮助客户“创新、改进和发展”他们的业务。其中一些关键技术包括:ASIC设计、表面安装技术、陶瓷封装、混合制造到类“S”、“高频基础”(HFF)晶体设计和空间组件能力。产品包括晶体和OSC振荡器;频率翻译;时钟和数据恢复产品;看到过滤器;用于电信、数据通信、频率合成器、定时、导航、军事、航空和仪表系统的水晶过滤器和组件。
Vectron国际公司总部位于美国北部的哈德逊，在北美、欧洲和亚洲设有运营设施和销售办事处，它的技术能力在石英晶体振荡器和滤光器设计方面都很有名。公司提供的创新和能力反映了更高频率、低成本设计和小型化的趋势，以及更先进的技术集成解决方案。

Vectron晶振,6035晶振,VXE4晶振.贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶振晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶振的等效电阻等更接近理论值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。

＜晶体谐振器＞
如果过大的激励电力对无源晶振外加电压，有可能导致特性老化或损坏，因此请在宣传册、规格书中规定的范围内使用。
让无源晶振振荡的电路宽裕度大致为负性阻抗值。本公司推荐此负性阻抗为谐振器串联电阻规格值的5倍以上，若是车载和安全设备，则推荐10倍 以上。
＜晶体振荡器＞
晶体振荡器的内部电路使用C-MOS。闭锁、静电对策请和一般的C-MOS IC一样考虑。
有些有源晶体没有和旁路电容器进行内部连接。使用时，请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器（陶瓷片状电容器等）以 最短距离连接。关于个别机型请确认宣传册、规格书。
＜晶体滤波器＞
注意电路板图形的配置，避免输入端子和输出端子靠得太近。
如果贴片滤波器的电路板的杂散电容较大，为了消除该杂散电容，有时需要配置调谐电路。
如果过大的激励电力对谐振器外加电压，有可能导致特性老化或损坏，因此请在滤波器的输入电平在−10dBm以下的状态下使用。Vectron晶振,6035晶振,VXE4晶振
＜光学产品＞
由于制造过程中进行了灰尘等异物管理，因此包装开封以后，请在进行清洁度管理的环境中使用。

设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明6035mm贴片晶振所需电功率，其计算公式如下：
驱动能力 (P) = i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流，
Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。Vectron晶振,6035晶振,VXE4晶振

2.振荡补偿
除非在6035进口晶振振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极电阻。

3. 负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同，可能导致6035mm陶瓷面晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。

频率和负载电容特征图器

振荡回路参数设置参考