TCME32温补晶振,艾西迪欧美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振,自1986年以来,ACT艾西迪晶振- 以前的高级晶体技术 - 已发展成为高性能频率控制石英晶体产品的领先设计合作伙伴。通过新的合作伙伴关系定制频率解决方案,我们与Esterline研究和设计(ERD)的合作使我们能够突破高精度贴片振荡器技术的界限。这些突破性产品为TCXO和OCXO设立了新标准,创造了当今市场上性能最高,最精确的振荡器技术。
TCME32温补晶振,艾西迪欧美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振,无论您需要新技术,如M-SAC增强型贴片振荡器,还是简单的基本SMD晶振,我们的工程团队都将帮助您为您的应用选择合适的解决方案,并在整个设计周期和生产过程中为您提供支持。
ACT艾西迪晶振公司除了石英水晶组件,同时量产LC滤波器,SAW,实时时钟,时钟晶振,温补晶振和天线等产品,但频率元件一直都是艾西迪晶振公司最重要的模块,除此之外,陶瓷谐振器,无源晶振等都深受各大知名企业的欢迎
TCME32温补晶振,艾西迪欧美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振,小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
Parameters | Specification | Remarks | ||||||||||||||||||||||||||||
Frequency | F_nom | 32.768kHz | ||||||||||||||||||||||||||||
Supplyvoltage | Vcc | 1.8V,2.5V,3.0V,3.3V,5.0V | ±5%voltagechange,±10%for5V | |||||||||||||||||||||||||||
Supplyvoltagevariation | 0.25Vmax | ?V/?T=1V/us | ||||||||||||||||||||||||||||
Initialfrequencytolerance | F_tol | ±1.5ppmmax | At+25°C±3°C | |||||||||||||||||||||||||||
Frequencystability | vsTemperature | F_stb | ±5.0ppm | |||||||||||||||||||||||||||
vsLoadchange | F_load | ±0.2ppmmax | ±10%loadconditionchange | |||||||||||||||||||||||||||
vsVoltagechange | F_Vcc | ±0.2ppmmax | ±5%inputvoltagechange | |||||||||||||||||||||||||||
vsAging | F_age | ±3.0ppm/yearmax | At+25°C | |||||||||||||||||||||||||||
vsReflow | ±1.0ppm/yearmax | 1reflowandmeasuredafter24hrs | ||||||||||||||||||||||||||||
vsallrangeVcc | ±1.0ppm/voltmax | Vcc=1.7Vto5.5V | ||||||||||||||||||||||||||||
Operatingtemperaturerange(°C) | Topr | ‐40°C~+85°C | Table1 | |||||||||||||||||||||||||||
Storagetemperature(°C) | Tstg | ‐55°C~+85°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Outputwaveform | HCMOS | |||||||||||||||||||||||||||||
Outputload | 15pF | |||||||||||||||||||||||||||||
Outputvoltagehigh | Voh | Vcc‐0.4Vmin.Ioh=‐0.1mA | ForallVccrange | |||||||||||||||||||||||||||
Outputvoltagelow | Vol | 0.4Vmax.Iol=0.1mA | ForallVccrange | |||||||||||||||||||||||||||
Currentconsumption | Icc | 0.79μA~2.05μA | Table2 | |||||||||||||||||||||||||||
Riseandfalltime | Tr,Tf | 100nsmax | 20%to80%ofwaveform | |||||||||||||||||||||||||||
Dutycycle | SYM | 40%/60%typical | Measuredat50%Vcc | |||||||||||||||||||||||||||
Start‐uptime | T_str | 1.0secmaxat25°C | 3.0secmaxat‐40°C~+85°C | |||||||||||||||||||||||||||
Pad1OEthresholds | Vih=0.8Vcc,Vil=0.2Vcc | |||||||||||||||||||||||||||||
Timingerrorovertime | ±0.432sec/day | For±5ppmover‐40°C~+85°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Note:ThedeviceisESDsensitiveandmoisturesensitivelevel(MSL)‐1 |
焊接和超声波清洗
晶振的焊接温度条件是旨在允许同时处理其他电子元件,但取决于产品类型条件可能受到限制。确认使用前的条件。基本上,超声波清洗助焊剂允许,但在某些情况下,与振荡共振超声波清洁器的频率可能会导致晶体单元的特性恶化。请检查所有清洁前的条件。
腐蚀性物质的影响
当SMD晶振单元接触盐或腐蚀性材料或长期暴露于某些物质这可能是氯化物或硫化物气体等气氛造成严重的缺陷,例如包装失去其密封性由于腐蚀。选择粘合剂或灌封时要特别小心用于晶体单元周边的试剂。TCME32温补晶振,艾西迪欧美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振.
安装引线安装型晶体单元
(1)在PC板上安装一个压电石英晶体单元,使其高度单位低于其他部分;这样可以防止
由于冲击引起的破损引起的支架式玻璃上方。玻璃破碎可能会影响气密性密封导致性能下降。
(2)安装铅封式晶体单元时使用PC板,PC上的孔之间的距离电路板应该等于端子之间的距离晶体单元安装。螺距中最轻微的误差可能会导致玻璃裂缝水晶单元支架的一部分。
(3)安装引线型晶体单元时,我们建议设备应与PC联系电路板和焊接方式,以防止疲劳和由于机械共振引起的引线断裂。
(4)在PC板上安装贴片石英晶振后,移动单元使支架基底玻璃破裂导致特性恶化。别动了这样的水晶单元。