TDLV75差分晶振,ACT有源振荡器,TLV752000MBXNKXXHL-PF[20MHz]晶振

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

TDLV75差分晶振,ACT有源振荡器,TLV752000MBXNKXXHL-PF[20MHz]晶振，ACT艾西迪晶振与Esterline研究和设计（ERD）的合作使我们能够突破高精度贴片振荡器技术的界限。这些突破性产品为石英晶振，差分晶振，TCXO温补晶体振荡器和OCXO设立了新标准，创造了当今市场上性能最高，最精确的振荡器技术。
TDLV75差分晶振,ACT有源振荡器,TLV752000MBXNKXXHL-PF[20MHz]晶振，无论您需要新技术，如M-SAC增强型振荡器，还是简单的基本石英晶振，艾西迪晶振的工程团队都将帮助您为您的应用选择合适的解决方案，并在整个设计周期和生产过程中为您提供支持。凭借30多年的频率控制专业知识，我们很高兴能够应对您的设计挑战和产品需求。

TDLV75差分晶振,ACT有源振荡器,TLV752000MBXNKXXHL-PF[20MHz]晶振，小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边，主要是为了去除晶振晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使SMD晶振晶片的边缘效应不能去除，而石英晶振晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动了不稳定。

Parameters

Specification

Remarks

Frequencyrange

F_nom

12.0MHz~800.0MHz

Supplyvoltage

Vcc

3.3V

Initialfrequencytolerance

F_tol

<±2.0ppm

At+25°C±2°C

Frequencystability

vsTemperature

F_stb

±1.0ppm~±5.0ppm

Table1

vsLoad

F_load

±0.3ppmmax

±10%loadconditionchange

vsVoltage

F_Vcc

±0.3ppmmax

±5%inputvoltagechange

vsAging

F_age

±1.0ppm/yearmax

At+25°C

vsReflow

±1.0ppm/yearmax

1reflowandmeasuredafter24hrs

Operatingtemperaturerange(°C)

Topr

0°C~+50°Cto‐40°C~+85°C

Table1

Storagetemperature(°C)

Tstg

‐55°C~+125°C

Outputwaveform/Outputload

LVDSsquarewave/50?fromeachload

Outputvoltagehigh

Voh

1.4Vtypical;1.6Vmin

Outputvoltagelow

Vol

0.9Vmin;1.1Vmax

Outputdifferentialvoltage

Vod

247mVmin;355mVtypical;454mVmax

Output1‐Output2

Outputdifferentialvoltageerror

Dvod

‐50mVmin;50mVmax

Outputoffsetvoltage

Vos

1.125Vmin;1.2Vtypical;1.375Vmax

Outputoffsetmagnitudeerror

Dvos

0mVmin;3mVtypical;25mVmax

Currentconsumption

Icc

12~24MHz:33mAmax;24~96MHz:50mA

Maxcurrentmeasuredwithload

96~700MHz:85mA

Riseandfalltime

Tr,Tf

1.5nsmax

20%to80%ofwaveform.

Dutycycle

SYM

45%/55%

Measuredat1.25V

Start‐uptime

T_str

5.0msec(typical),10.0msec.(Max)

Reach90%amplitudeat+25°C±2°C

Phasejitter(RMS)(12kHzto20MHz)

2.6ps(typical),4.0ps(max)

Forfrequency155.520MHz

Tristate

Pin2

VC‐TCXOoptiononly

Controlvoltage

Vc

1.5V±1.0V

Frequencytuning(ppm)

±5.0ppmmin

Linearity/Slopepolarity

6.0%typical;10%max/Positiveslope

Positivevoltageforpositivefrequencyshift

抗冲击
晶振可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
暴露于辐射环境会导致石英贴片晶振晶体性能受到损害，因此应避免照射。
化学制剂/pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致SMD晶振所用的封装材料，终端，组件，玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 （比如，氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”，从而破坏密封质量，降低性能。）TDLV75差分晶振,ACT有源振荡器,TLV752000MBXNKXXHL-PF[20MHz]晶振.
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用贴片石英晶振。即使少量的卤素气体，比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内，都可能产生腐蚀。同时，请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
静电
过高的静电可能会损坏进口有源晶振，请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候，请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路，并进行接地操作。