希华晶体科技成立于1988年,专精于石英频率控制元件之研发、设计、生产与销售。从人工晶棒长成到最终产品,透过最佳团队组合及先进之生产技术,建立完整的产品线,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶体谐振器、晶体振荡器、晶体滤波器、温度补偿型及电压控制型产品等,以健全的供应炼系统,为客户提供全方位的服务。
藉由台湾、日本、大陆三地的产品设计开发与制程资源整合,不断开发创新及制程改造,以全系列完整产品线,来满足客户对石英元件多样化的需求。积极地透过产学合作与配合国外技术引进进口贴片晶振开发新产品,多角化经营、扩大市场领域,此亦为公司得以永续经营的方针。劳工职业安全卫生议题近年成为世界各国及企业关注焦点,如何做到‘降低职业灾害发生、确保工作场所安全、实施员工健康管理’一直是希华晶体努力的方向,公司于2008年12月通过OHSAS18001职业安全卫生管理系统验证,提供劳工符合系统要求的安全卫生工作环境。本公司于99年起展开“健康活力年、快乐一整年”活动计划,推行健康检查、体能检测、饮食改变、适度体能活动、健康教育讲座等活动办理,改善员工身心健康,提升员工生产力、工作意愿及整体的工作表现,促进劳资和谐、强化公司竞争力、创造企业最大的人力资产。
希华晶振,贴片晶振,SX-3225晶振,进口晶振,3225mm体积贴片晶振适用于汽车电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于汽车电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性。晶振的真空封装技术:是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一
希华晶振 |
单位 |
SX-3225晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
10MHz~125MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-10°C~+85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推荐:10μW~100μW |
频率公差 |
f_— l |
±10~±15 × 10-6(标准) |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-10°C~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
10PF,12PF,16PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C~ +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±15× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
所有产品的共同点:1:抗冲击:抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英无源晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。 2:辐射:将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。 3:化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。希华晶振,贴片晶振,SX-3225晶振,进口晶振
4:粘合剂:请勿使用可能导致SMD石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。) 5:卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6:静电:过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
机械振动的影响:当晶体谐振器产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。
负载电容:如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致3225mm晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示电路的杂散电容。希华晶振,贴片晶振,SX-3225晶振,进口晶振
振荡频率测量:必须尽可能地测量安装在电路上的车载石英贴片晶振谐振器的振荡频率的真实值,使用正确的方法。在振荡频率的测量中,通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。有三种频率测量模式,如下面的图所示(图)。2, 3和4)。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。接触振荡电路。
探针不影响图2,因为缓冲器的输出是蓝牙专用贴片晶振通过输入振荡电路的输出来测量的。逆变器进入下一阶段。探针不影响图3,因为在IC上测量缓冲器输出(1/1、1/2等)。图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况,由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。输出点之间的电容(3 pF以下XTAL终端IC)和探针。然而,应该注意到,使用这种方法输出波形较小,测量不能依赖于即使示波器能检查振荡波形,频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下,使用放大器来测量。
此外,振荡频率与测量点不同。1。测量缓冲输出2。振荡级输出测量图5示出以上1-3个测量点和所测量的除缓冲器输出外,3225贴片封装晶体振荡频率较低。三.通过电容器测量振荡级输出