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精工晶振,SC-12S晶振,日本SEIKO晶体

精工晶振,SC-12S晶振,日本SEIKO晶体精工晶振,SC-12S晶振,日本SEIKO晶体

产品简介

负载电容:12.5PF

频率偏差:20PPM

工作温度-40~+85度

精工晶振,SC-12S晶振,小体积晶振,是SMD时钟型晶体谐振器,贴片式音叉晶体的千赫子频率元器件,主要应用于时钟模块,智能手机,全球定位系统.

产品详情

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SEIKO是日本晶振制造商Seiko Instruments Inc.的缩写,也成为SIISII拥有世界上顶端的机械技术。除了是世界上著名的石英手表厂商,同时也生产电脑打印机。做电子元器件,在石英振子这一方面,SII也是做的非常之出色的,目前,能够与日本精工晶振全球同等级竞争的,只有日本大真空KDS

精工晶振的代理商都知道精工常用的频率都是32.768KHZ的,因此精工晶振通常也被称为精工表晶。SEIKO生产的石英晶振型号并不是很多,但是质量绝对可以和日产任何一个大品牌媲美。目前精工SEIKO已被列入全球晶振行业十强企业名单中。2012年精工SEIKO集团在国内投资1530万美元建设生产基地。更大的弥补了国内市场对高端晶体的需求。

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精工晶振,SC-12S晶振,小体积晶振,SMD时钟型晶体谐振器,贴片式音叉晶体千赫子频率元器件,主要应用于时钟模块,智能手机,全球定位系统.我司金洛电子主要代理日本进口石英晶体谐振器,爱普生晶振,KDS晶体,西铁城晶振,精工晶体,日本进口的32.768KHz系列晶振产品多元化,外观尺寸有多项选择,并且支持无源以及有源晶振应用,有一个很棒的是几个知名晶振品牌之间产品可以交替替换.四大日本进口晶振外观尺寸均是一致,产品频率,精度,负载都可以达到相同,所以消费者在使用方面得到很到的保障,这几款产品本身使用无铅化,卷带SMD包装,产品一般应用在智能手机,控制模组,GPS导航模块,小型蓝牙对接产品等设备。

精工晶振

符号

SC-12S晶振

精工晶振基本信息对照表

Crystal标准频率

f_nom

32.768kHz


储存温度

T_stg

-55°C — +125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C — +85°C

精工晶振特定的温度

激励功率

DL

0.5μW (1.0μW Max.)

如你有最大激励功率为1.0μW需求,请联系我们金洛电子

精度

f_— l

±20 ppm

如有需要更高的精度可以特定.

拐点温度

Ti

+25°C ±5°C


负载电容

CL

7pF, 9pF, 12.5pF

可按客户需求指定

串联电阻(ESR)

R1

70kΩ Max.

70kΩ — 45kΩ

频率老化

f_age

±3 ×10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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SC-12S 1210

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晶体无信号输出

1-1.

请测量信号输出的两个终端水晶使用示波器或频率计数器。如果没有信号输出,请按照步骤1到步骤1 - 4执行检查。如果有信号输出,终端的石英晶体(Xout),但在没有信号输出(),请检查后的水晶step1-5步骤1 - 6.

1-2.

请卸载水晶和测试频率和负载电容是否他们振动,满足你的规格使用专业测试机。你也可以寄给你的供应商为你测试它。

1-3.

如果有下列情况发生,水晶不振动,其负载电容不匹配你的规范,或者是一个电流频率和你的目标之间的巨大差距的频率,请把水晶给你的供应商进行质量分析。如果频率和负载电容满足您的规格,我们需要进行等效电路测试

1-4.

等效电路的测试

image002

1-4-1.

一般来说,微处理器来自科耳皮兹电路的振荡电路显示如下:

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CdCg外部负载各,已建成的晶片组。(请参考规格的芯片集)

射频是反馈电阻with200KΩmΩ~ 1。这是建在芯片设置一般。

Rd限制与470Ω~ 1 kΩ电阻器。这种抵抗是不常见的电路只有电路所需电源。

1-4-2

稳定的振荡电路需要负电阻,其值应至少五次的水晶阻力。它可以写成| - r | > 5 Rr

例如,要获得一个稳定的振荡电路,集成电路的负电阻的值必须低于-200Ω当晶体电阻的值40Ω

1-4-3

负阻是衡量标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下,如老化、热变化,电压变化,等。,电路可能不振荡如果“Q”的价值很低。因此,它是非常重要的衡量负阻(- r)遵循下面的说明:

image004

(1)连接电阻(R)的水晶系列

(2)调整R的值从一开始就指出的停止点振荡。

(3)在振动测量R的值。

(4)你将能够获得负电阻的值,| - R R + | = Rr,Rr =水晶阻力。

:连接电路的寄生电容会影响测量值。

1-4-4

如果晶体的参数是正常的,但它不是工作稳步在振荡电路中,我们将不得不找出集成电路的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:

降低外部电容的值(CdCg),和采取其他水晶与降低负载电容(CL)

采用水晶阻力较低(Rr)

使用不平等的设计值的CdCg。我们可以提高Cd的负载电容(Xout)和降低负载电容的Cg()提高输出的波形振幅鑫将用于后端电路。

1 - 5

当有信号输出Xout但不新,它代表的电极后,后端电路的功耗是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲的输出电路之间及其后电极驱动端电路.

1 - 6

除了上面提到的1 - 5的方法,你也可以按照三种方法在步骤1-4-4

接触晶体或IC制造商的现场应用工程师为进一步援助,如果你的问题不能解决。

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在技术文献及产品应用上, 石英晶体共振子的共振有三组不同定义及特性的共振频率.

(1) 串联谐振频率及并联谐振频率 ( fs , fp )

(series resonance frequency and parallel resonance frequency)

(2) 谐振频率及反谐振频率 ( fr , fa )

(resonance frequency and anti-resonance frequency)

(3) 最大电导频率及最小电导频率 ( fm , fn )

(maximum admittance frequency minimum admittance frequency).

这三组频率的导纳(admittance)图, 可以从(图九)复数坐标清楚的看到

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Fig.9 Complex Admittance of Resonators

串联偕振频率及并联偕振频率, fs and fp ,是分别由电导(real part of the admittance)最大和阻抗(real part of the electric input impedance)最大时的频率.

谐振频率及反谐振频率, fr and fa , 分别是当电导等于零(纯电阻特性)的二个频率. 在这个时候, fr 的阻抗为 1 / Rr fa 的阻抗为 1/ Ra.

在评估共振时的等效线路时, 串联谐振频率及并联谐振频率, fs and fp , 是最重要的二个频率参数. 对于串联谐振频率及并联谐振频率( fs and fp )二者的关系, 我们可以用下列公式来表达:

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公式中的C1及 L1 分别是(图七)中的动态电容(motional capacitance)及动态电感(motional conductance); Co 是静态电容(shunt capacitance).

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