希华晶体科技敏锐地掌握电子产品轻薄短小化、快速光电宽频传输与高频通讯的发展主流,致力于开发小型化、高频与光电领域等产品,持续致力于技术研究贴片晶振开发及品质落实扎根,营运据点遍布台湾、中国大陆、日本、新加坡、美国及欧洲等世界各地,使希华得以提供服务予世界电子大厂。 希华晶体承诺所有的运作皆遵守本地国家的法律,并符合国际上所共同认知环保与社会责任的标准,成为一个创造股东最大权益、照顾员工、善尽社会责任的好公司。
自2003年起推行无源晶振节能减碳措施,落实于电力、空调、气体、照明、用水、资源回收、禁用免洗碗筷等项目,有效降低碳排放,节省公司支出。注重厂区绿化植栽及环境维护,植栽绿覆率达34%提供员工优良工作、生活环境。希华晶体科技股份有限公司,依据‘ISO 14001环境/OHSAS-18001安卫管理系统’要求制定本‘环境/安卫手册’,以界定本公司环境/安卫管理系统之范围,包括任何排除之细节及调整,并指引环境/安卫管理系统与各书面、办法书之对应关系,包含在环境/安卫管理系统内之流程顺序及交互作用的描述。本公司环境/安卫管理系统之适用范围包含公司所有的活动、产品及服务。
希华晶振,贴片晶振,LP-4.2S晶振,假面石英晶振,普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
累积多年的晶振研磨经验,通过深入细致地完善石英晶振研磨工艺技术,注重贴片晶振研磨过程的各种细节,注重晶振所用精磨研磨设备的选择;注重所使用水晶、研磨砂的选择等;注重石英晶振研磨用工装如:游轮的设计及选择,从而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、弯曲度都有很好的控制,最终使可研磨的石英晶振晶片的厚度越来越薄,贴片晶振晶片的频率越来越高,为公司在高频石英晶振的研发生产打下坚实基础,提升了晶振希华企业的竞争力,使晶振厂家希华企业在高频石英晶振的研发及生产领先于国内其它公司。
希华晶振 |
单位 |
LP-4.2S晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
3.5MHz~80.000MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C~+90°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-10°C~+70°C,-40°C~+85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推荐:10μW~100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准) |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-10°C~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
5PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C~ +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±50× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
如果由频率计数器测量频率比目标频率高,要增加外部电容CL(或Cd以及C 8的值),以降低频率到我们的目标频率,反之亦然。可以采用不同负载电容(CL)的石英SMD晶振试用。 试用晶振具有较低电容若频率比目标频率超高很多的话。请检查波形幅度是否是正常或不使用示波器,正确的电容是通过和频率调节到目标之后。根据该波形振幅收缩,由于增加外部电容,请使用方法2调整频率(较低的外部电容,并采用低电容的晶体)的情况。频率输出频率的目标只有三分之一。希华晶振,贴片晶振,LP-4.2S晶振,假面石英晶振
进口石英晶振具有多种振动模式,如基频, 3次泛音,5次泛音等等。当基频模式应用时,晶振的电阻是最低的,这意味着它是最简单的石英晶体振荡器。当第三色调模式被应用,一个放大电路必须被利用以降低基本模式的频率反馈到所述延伸小于所述第三音调模式。因此,如果频率是只有三分之一的目标频率时,要检查是否放大处理电路被施加或它的设定值就足够了,因为电路的环境适合于基本模式,而不是第三次泛音调模式。
此外,放大电路,第三色调模式设计不当也可能导致电路由第五音模式振荡或不振荡。系统故障是由于超大输出波形的幅度。也可以提高终端假贴片石英晶振电容解决方案,然后检查波形幅度是否得到改善。请确定使用频谱分析仪机中断信号的频率。我们可以发现存在的问题是根据频率什么。如果是从电源的交流信号,请检查电源和信号的两个理由的状态是否是浮动的。请改为浮动,如果它不是。如果信号具有高频率,请使用以下方法:使用晶振外壳为接地。采用水晶较小C0。增加电路,镉和CG的外部电容,并采用晶体具有较高的负载电容CL。
负载电容:如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计压电晶体频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示电路的杂散电容。希华晶振,贴片晶振,LP-4.2S晶振,假面石英晶振
测试条件:(1)电源电压:超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF,5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量49S型贴片晶振频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线。)
振荡电路的检查方法:必须尽可能地测量安装在电路上的49SMD晶振的振荡频率的真实值,使用正确的方法。在振荡频率的测量中,通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。有三种频率测量模式,如下面的图所示(图)。2, 3和4)。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。