Golledge是英国发展最快的频率产品供应商。我们在竞争激烈的市场上继续成功是对我们的产品质量和出色的服务的敬意。电子技术和技术相关产业正在迅速发展。随着技术进步和商业世界的发展,golledge拥有支持我们客户需求的欧美晶振资源和灵活性。我们的理念是以产品和服务的质量和一致性为基础的。我们致力于为业界提供最高的服务质量。我们的持续增长和极高的客户保留水平是这一承诺的证据。总部位于西英格兰心脏地带的一个美丽的转换农场建筑的收集,golledge向全世界50多个国家的出口,占收入的60%以上。
Golledge晶振,贴片晶振,GSX49-3晶振,石英晶体谐振器,普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
晶体全自动晶片清洗技术:石英晶振生产工序主要有晶片清洗、被银、上架电胶、微调、封焊、捡漏、印字、老化、测试,进口石英晶振晶片清洗:清除石英晶振晶片表面的污物、油物,以保证被银电极。被复良好牢固。清洗间有很多化学试剂,酒精、异丙醇、硫酸、硝酸、清洗液同时还有电炉烤箱,在晶振生产过程中应注意人身安全和设备安全。被银:用真空镀膜原理在洁净的石英晶振晶片上蒸镀薄银层,形成引出电极,并使其频率达到一定范围 。采用蒸镀微调: 被银片频率应满足 f 0 +(50 至 1000ppm)的要求,采用离子微调:离子微调被银片频率应满足 f 0 -(50 至 1200ppm)。
Golledge晶振 |
单位 |
GSX49-3晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
3.180~90MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C~+90°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-10°C~+85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
100μW Max. |
推荐:100μW |
频率公差 |
f_— l |
±20,±30,±50× 10-6(标准) |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30,±50,±100× 10-6/-20°C~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
7pF |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
超声波清洗:(1)使用AT-切割晶体和表面面滤波器波(SAW)/声表面谐振器的产品,可以通过超声波进行清洗。但是,在某些条件下, 晶振特性可能会受到影响,而且内部线路可能受到损坏。确保已事先检查系统的适用性。(2)使用音叉晶体和陀螺仪传感器的产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗,因为晶振可能受到破坏。(3)请勿清洗开启式晶振产品(4)对于可清洗晶振产品,应避免使用可能对产品产生负面影响的清洗剂或溶剂等。(5)焊料助焊剂的残留会吸收水分并凝固。这会引起诸如位移等其它现象。这将会负面影响产品的可靠性和质量。请清理残余的助焊剂并烘干PCB。Golledge晶振,贴片晶振,GSX49-3晶振,石英晶体谐振器
操作:请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。11.使用环境(温度和湿度)请在规定的温度范围内使用石英晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。SMD进口晶振/石英晶体谐振器,激励功率:在晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 。负极电阻:除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加.
关于机械性冲击(1) 从设计角度而言,即使金属石英晶振从高度75cm处落到硬质木板上三次,按照设计不会发生什么问题,但因落下时的不同条件而异,有可能导致石英芯片的破损。在使之落下或对它施加冲击之时,在使用之前,建议确认一下振荡检查等的条件。(2) SMD石英晶振与电阻以及电容器的芯片产品不同,由于在内部对石英晶振晶片进行了密封保护,因此关于在自动安装时由于冲击而导致的影响,请在使用之前,恳请贵公司另外进行确认工作。(3) 请尽量避免将本公司的音叉型晶振与机械性振动源(包括超声波振动源)安装到同一块基板上,不得已要安装到同一块基板上时,请确保晶振能正常工作。
振荡频率测量:必须尽可能地测量安装在电路上的49SMD石英晶体的振荡频率的真实值,使用正确的方法。在振荡频率的测量中,通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。有三种频率测量模式,如下面的图所示(图)。2, 3和4)。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。Golledge晶振,贴片晶振,GSX49-3晶振,石英晶体谐振器
接触振荡电路:探针不影响图2,因为缓冲器的输出是通过贴片石英晶振输入振荡电路的输出来测量的。逆变器进入下一阶段。探针不影响图3,因为在IC上测量缓冲器输出(1/1、1/2等)。图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况,由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。输出点之间的电容(3 pF以下XTAL终端IC)和探针。然而,应该注意到,使用这种方法输出波形较小,测量不能依赖于即使示波器能检查振荡波形,频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下,使用放大器来测量。
负载电容:如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致低壳49SMD晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示电路的杂散电容。
测试条件:(1)电源电压:超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。
铅探头应尽可能短。测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过石英贴片晶振振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线).