日本株式会社西铁城晶振品牌【CITIZEN】,该品牌创立时间在1918年,早期主要研发与生产时计产品,在1959年西铁城成功研发出防水,防振的手表,从此轰动世界成为了个性时尚品牌.在1975年西铁城会社成立了西铁城株式会社水晶事业部,从此研发音叉型压电石英水晶振动子.
西铁城晶振公司为工业市场提供高性能和精密设备,不断开发新技术和新技术在我们的制造业和工程.我们有一个良好的信誉在市场上特别是对我们的晶振,石英晶体,有源晶振,压控振荡器等高精密零件使用我们自己的核心技术和脆性材料和微显示高清图片是必需的.是尽一切努力来改善我们的技术和发展提供有价值的服务我们的客户,即使这是一个利基市场.西铁城晶振奉行的管理政策是“标题作为纪念公司保持活着在这个时代”.日本制造业可持续发展的业务形式将在这样一个追求快速多变的经济,而重视个人、社会和环境问题.西铁城晶振试图满足你在电子设备领域中成为龙头企业.
西铁城晶振,贴片晶振,HCM4920000000ABJT晶振,普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
超小型、超低频无源晶振晶片的边缘处理技术:是超小型、超低频石英晶振晶体元器件研发及生产必须解决的技术问题,为压电石英晶振行业的技术难题之一。具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使石英晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定.
西铁城晶振 |
单位 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
3.5~50MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
100μW Max. |
推荐:100μW |
频率公差 |
f_— l |
±30× 10-6(标准) |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±20× 10-6/-40°C~+85°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
7pF |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~ +85°C,DL =1.0μW |
频率老化 |
f_age |
±5× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
每个封装类型的注意事项:陶瓷包装假面晶振与SON产品在焊接陶瓷封装晶振和SON产品 (陶瓷包装是指晶振外观采用陶瓷制品) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂(开裂)。尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法。西铁城晶振,贴片晶振,HCM4920000000ABJT晶振
陶瓷包装石英晶振:在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷封装石英晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性.(2)陶瓷封装贴片晶振:在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷封装贴片晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。
(3)柱面式产品:产品的玻璃部分直接弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂(开裂),也可能导致气密性和产品特性受到破坏。当SMD石英晶振的引脚需弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并将其托住,以免发生分裂。当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分进行修正。在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损坏。所以在此处请不要施加压力。另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上。
驱动能力:驱动能力说明49/SMD无源谐振器振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过晶体单元的电流,Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL).西铁城晶振,贴片晶振,HCM4920000000ABJT晶振
测试条件:(1) 电源电压? 超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。? 电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2) 其他:? 输入电容低于 15 pF? 5倍频率范围或更多测量频率。? 铅探头应尽可能短。? 测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过49SMD晶振振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3) 其他:? CL包含探头电容。? 应使用带有小的内部阻抗的电表。? 使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线)
此外,振荡频率与测量点不同。1。测量缓冲输出2。振荡级输出贴片石英晶振测量三.通过电容器测量振荡级输出图5示出以上1-3个测量点和所测量的除缓冲器输出外,振荡频率较低。
探针不影响图2,因为缓冲器的输出是通过49S无源晶体输入振荡电路的输出来测量的。逆变器进入下一阶段。探针不影响图3,因为在IC上测量缓冲器输出(1/1、1/2等)。图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况,由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。输出点之间的电容(3 pF以下XTAL终端IC)和探针。然而,应该注意到,使用这种方法输出波形较小,测量不能依赖于即使示波器能检查振荡波形,频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下,使用放大器来测量。