京瓷晶振公司由人组成。技术、产品或服务的质量取决于背后的人。我们希望通过不断追求梦想的团队成员,不断地为我们的客户提供新的价值,并积极地、始终如一地实现自我目标。京瓷哲学与生活和管理。它的中心原则是“做一个正确的人”,这是我们所有决策中所包含的概念。通过展示公平和勤奋努力的重要性,它成为我们行为的典范。
京瓷秉承卓越原则,追求卓越。我们开发独特的技术,并应用我们的眼光创造有价值的晶振产品,市场不断寻求。具有独创性和高质量,不断创造新价值促进人类进步。这种广泛的专业知识使京瓷能够在一个给定的产品线中集成全过程,从开发和生产到销售和物流。我们与我们的商业伙伴合作,促进企业社会责任,确保人权、劳工权利和环境在整个供应链中得到保护。京瓷晶振,贴片晶振,CX5032GA晶振,CX5032GA08000H0PST02晶振
京瓷晶振,贴片晶振,CX5032GA晶振,CX5032GA08000H0PST02晶振.二脚SMD陶瓷面贴片晶振,表面陶瓷封装,其实是属于压电石英晶振,是高可靠的环保性能,严格的频率分选,编带盘装,可应用于高速自动贴片机焊接,产品本身设计合理,成本和性能良好,产品被广泛应用于平板电脑,MP5,数码相机,USB接口最佳选择,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的铅.
京瓷晶振高精密点胶技术:进口晶振晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使石英晶振晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。将被上银电极的晶片装在弹簧支架上,点上导电胶,并高温固化,通过弹簧即可引出电信号。
京瓷晶振 |
单位 |
CX5032GA晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
8.000MHz~40.000MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C~+150°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C~+150°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
100μW Max. |
推荐:10μW~100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50× 10-6(标准) |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±150× 10-6/-40°C~+150°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
12pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+150°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
自动安装时的冲击
自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些石英晶体振荡器。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对产品特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保石英晶振未撞击机器或其他电路板等。
每个封装类型的注意事项
(1)陶瓷包装产品与SON产品
在焊接陶瓷晶振产品和SON产品 (MC-146,RTC-****NB,RX-****NB) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂(开裂)。尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法。
陶瓷包装产品
在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷谐振器产品时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。
(2)陶瓷封装产品
在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接压电陶瓷谐振器产品时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。
(3)柱面式产品
产品的玻璃部分直接弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂(开裂),也可能导致气密性和产品特性受到破坏。当石英晶体谐振器产品的引脚需弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并将其托住,以免发生分裂。当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分进行修正。在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损坏。所以在此处请不要施加压力。另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上。京瓷晶振,贴片晶振,CX5032GA晶振,CX5032GA08000H0PST02晶振
设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明5032贴片晶振所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加5032二脚贴片晶振振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致两脚陶瓷面贴片晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。京瓷晶振,贴片晶振,CX5032GA晶振,CX5032GA08000H0PST02晶振
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考