Statek在陶瓷封装中使用玻璃或陶瓷外壳组装晶体谐振器。Statek产品比机械制造的水晶产品要小得多。Statek晶体、振荡器和传感器的典型特征是:高稳定性和精密频率,低长期老化,低功耗,非常小的足迹,优秀的耐冲击性,超低调,在美国设计和制造,设计能力.Statek拥有设计和分析各种操作模式中所有机械几何形状的石英谐振器的专门知识。
超小型石英贴片晶振晶片的设计：石英晶片的长宽尺寸已要求在±0.00２mm内，由于SMD晶振晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动，面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强，从而造成如若石英晶振晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致石英晶振的晶片不能正常工作，从而导致产品在客户端不能正常使用，晶振的研发及生产超小型石英晶振完成晶片的设计特别是外形尺寸的设计是首要需解决的技术问题，公司在此方面通过理论与实践相结合，模拟出一整套此石英晶振晶片设计的计算机程序，该程序晶振的晶片外形尺寸已全面应用并取得很好的效果。
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STATEK晶振 |
单位 |
CX1HGSMAT晶振 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
10~155.52MHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-10°C~+125°C |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
200~500μW Max. |
推荐:200~500μW |
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频率公差 |
f_— l |
±10,20 × 10-6(标准), |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
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频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-55°C~+200°C |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
4.0,5.5,6.2pF |
不同负载要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-55°C — +200°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±10× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
3：化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英贴片晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。 4：粘合剂:请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。）
5：卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6：静电:过高的静电可能会损坏陶瓷晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
驱动能力:驱动能力说明陶瓷壳封装晶振振荡晶体单元所需电功率，其计算公式如下：驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过晶体单元的电流，Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.Statek晶振,贴片晶振,CX1HGSMAT晶振,石英晶振
测试条件(1)电源电压:超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过贴片石英晶振振荡器的放大器时，可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）.
1.振荡电路:晶体谐振器是无源元件，因此受到工业级贴片晶振电源电压、环境温度、电路的影响。配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和异常运行。因此，在振荡电路的设计中，先决条件之一是如何确定振荡电路。晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后，后续的项目，例如讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。
2.角色的分量与参考值:在陶瓷面兆级石英晶振振荡电路的设计中，必须认识到个体的作用。组件.在表1中，以例如振荡电路为例来描述角色。（图1）使用一个通用的C-MOS IC（74hcuo4ap东芝）。当反馈电阻（rf）未安装在振荡电路中时，如图所示表1，即使在振荡功率作用下，谐振器也不会启动振荡。电路。除非有适当值的电阻器连接，否则振荡不会启动。
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