电子行业有一个非常一致的趋势，直接取决于时间 - 随着技术越来越小，功耗降低的需求越来越高。解决石英晶体设计要求，取决于行业需求，已经成为至关重要的。Abracon的新发布的IoT优化晶体系列专门设计用于解决越来越多的低功耗趋势，从而导致设计人员在整个行业中面临的跨导值下降。
Abracon晶振,进口晶振,ABM8G晶振.陶瓷表面外壳封装的四脚3225mm压电石英晶体产品经历过一段时间的低潮之后,近年来使用的用户渐渐增加,美国进口的这款ABM8G晶振拥有全球六十多个国家和地区的生产企业在使用,采用先进的玻璃密封技术打造,为高可靠性和耐高温特性提供了重要的保障,具有IR回流能力.
石英晶振生产工序主要有晶片清洗、被银、上架电胶、微调、封焊、捡漏、印字、老化、测试。石英晶振晶片清洗：清除石英晶振晶片表面的污物、油物，以保证被银电极。被复良好牢固。清洗间有很多化学试剂,酒精、异丙醇、硫酸、硝酸、清洗液同时还有电炉烤箱，在晶振生产过程中应注意人身安全和设备安全。
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Abracon晶振 |
单位 |
ABM8G晶振 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
12.000MHZ~50.000MHz |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-40°C～+85°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-10°C～+60°C |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
100μW Max. |
推荐:1μW～100μW |
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频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准) |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
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频率温度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-20°C～+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
10pF |
不同负载要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
＜晶体谐振器＞
如果过大的激励电力对石英晶体谐振器外加电压，有可能导致特性老化或损坏，因此请在宣传册、规格书中规定的范围内使用。
让无源晶振振荡的电路宽裕度大致为负性阻抗值。本公司推荐此负性阻抗为谐振器串联电阻规格值的5倍以上，若是车载和安全设备，则推荐10倍 以上。Abracon晶振,进口晶振,ABM8G晶振
＜晶体振荡器＞
晶体振荡器的内部电路使用C-MOS。闭锁、静电对策请和一般的C-MOS IC一样考虑。
有些石英晶体振荡器没有和旁路电容器进行内部连接。使用时，请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器（陶瓷片状电容器等）以 最短距离连接。关于个别机型请确认宣传册、规格书。
＜晶体滤波器＞
注意电路板图形的配置，避免输入端子和输出端子靠得太近。
如果贴装晶体滤光片的电路板的杂散电容较大，为了消除该杂散电容，有时需要配置调谐电路。
如果过大的激励电力对谐振器外加电压，有可能导致特性老化或损坏，因此请在滤波器的输入电平在−10dBm以下的状态下使用。
＜光学产品＞
由于制造过程中进行了灰尘等异物管理，因此包装开封以后，请在进行清洁度管理的环境中使用。
输出波形与测试电路
1.时序表
2.测试条件
(1)电源电压
超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。
电源电压阻抗低于电阻 2Ω。Abracon晶振,进口晶振,ABM8G晶振
(2)其他
输入电容低于 15 pF
5倍频率范围或更多测量频率。
铅探头应尽可能短。
测量频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时，可同时进行测量。
(3)其他
CL包含探头电容。
应使用带有小的内部阻抗的电表。
使用微型插槽，以观察波形。
（请勿使用该探头的长接地线。）
3.测试电路
鸿星晶振,陶瓷面晶体,E3FB晶振
CTS晶振,陶瓷面贴片晶体,443晶振
希华晶振,陶瓷壳压电石英晶体,GX-32254晶振
NDK晶振,贴片晶振,NX1610SA晶振
CTS晶振,贴片晶振,GA324晶振
ECS晶体,贴片晶振,ECX-32晶振
微晶晶振,贴片晶振,CM7V-T1A_Low-ESR晶振,贴片石英晶振
加高晶振,贴片晶振,HSX321G晶振,进口贴片晶振
KDS晶振,贴片晶振,DSX320G晶振,贴片谐振器
鸿星晶振,贴片晶振,HCX-3SB晶振,进口无源晶振