希华晶体科技成立于1988年,专精于石英频率控制元件之研发、设计、生产与销售。从人工晶棒长成到最终产品,透过最佳团队组合及先进之生产技术,建立完整的产品线,产品应用范围包含行动电话、平板电脑、卫星通讯、车载系统、全球定位系统、个人电脑、无线通信及家用产品等,扮演基本信号源产生、传递、滤波等功能。希华晶体承诺所有的运作皆遵守本地国家的法律,并符合国际上所共同认知环保与社会责任的标准,成为一个创造股东最大权益、照顾员工、善尽社会责任的好公司。
希华晶体科技股份有限公司,依据‘ISO 14001环境/OHSAS-18001安卫管理系统’要求制定本‘环境/安卫手册’,以界定本公司环境/安卫管理系统之范围,包括任何排除之细节及调整,并指引环境/安卫管理系统与各书面、办法书之对应关系,包含在环境/安卫管理系统内之流程顺序及交互作用的描述。本公司环境/安卫管理系统之适用范围包含公司所有的活动、产品及服务。
希华晶振,陶瓷壳压电石英晶体,GX-32254晶振.3225mm体积贴片晶振适用于汽车电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于汽车电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性.
超小型、超低频石英晶振晶片的边缘处理技术:是超小型、超低频石英晶振晶体元器件研发及生产必须解决的技术问题,为压电石英晶振行业的技术难题之一。希华电子具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使石英晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定。
希华晶振 |
单位 |
GX-32254晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
10.000MHz~54.00MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-30°C ~+85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
10μW Max. |
推荐:10μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6(标准) |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-10°C ~+60°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
10pF,12PF,16PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C~ +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
机械振动的影响
当晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶体产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。
PCB设计指导
(1)理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于音叉晶体器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。
(2)在设计时请参考相应的推荐封装。
(3)在使用焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。
(4)请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。
存储事项
(1)在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存进口贴片晶振产品时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。
正常温度和湿度:
温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH(请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容)。
(2)请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。
耐焊性
加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害谐振器。如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD晶体。在下列回流条件下,对晶体产品甚至SMD晶振使用更高温度,会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。
设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考