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XO14-100M000-B50E3,富通晶振,长方形钟振,6G微处理器晶振

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产品简介

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产品详情

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XO14-100M000-B50E3,富通晶振,长方形钟振,6G微处理器晶振特点:

-符合RoHS标准(无铅),宽频率范围,工业和军事温度可用

-极低相位抖动与基本或第三泛音晶体设计

-三状态输出可用,行业标准引线间距,可在鸥翼配置

-低成本,适用于16位和32位微处理器

高端数码电子谐振器,8045陶瓷壳2P晶振,NX8045GE晶振

XO14-100M000-B50E3,富通晶振,长方形钟振,6G微处理器晶振格表

项目 规格说明
额定频率 100MHz
输入电压 +3.3 VDC ±10%
输入电流 60 mA Maximum
储存温度 -55°C to 125°C
总体频率稳定性 ±50ppm
工作温度 -55℃~ +125℃
电动选项(对称) Tristate 55/45%
输出负载 HCMOS: Drive up to 50 pF load; TTL: Drive up to 10 TTL gates
逻辑“1”级/逻辑“0”级 0.9Vcc Minimum / 0.1Vcc Maximum
上升/下降时间(Tr/Tf) 4 nsMaximum
启动时间 10 ms Maximum
相位抖动(RMS, 1 Sigma) 1ps Max for fj > 1kHz; 0.3 ps Typical for fj = 12KHz to 20MHz
高端数码电子谐振器,8045陶瓷壳2P晶振,NX8045GE晶振

XO14-100M000-B50E3,富通晶振,长方形钟振,6G微处理器晶振尺寸图

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