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爱普生晶振,温补晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710086晶振

爱普生晶振,温补晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710086晶振

产品简介

石英晶体振荡器是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

产品详情

EPSON-1

精工爱普生株式会社(总经理:碓井 稔,以下简称为“爱普生”)2008年期间在苏州爱普生水晶宣布将高端的石英晶体振荡器生产重心转移到中国苏州爱普生工厂生产,并且成立研发中心.因为智能手机,以及GPS卫星导航的普及,有源晶振得到迅速的发展,并且从早期5X7mm的体积演变到今天2016mm体积的温补晶振,压控晶振,以下是有源石英晶体振荡器部分产品型号,爱普生料号等.
爱普生晶振小体积SMD时钟晶体谐振器,是音叉型贴片晶振,千赫频率元件,应用于时钟模块,智能手机,全球定位系统,因产品本身体积小,SMD编带型,可应用于高性能自动贴片焊接,被广泛应用到各种小巧的便携式消费电子数码时间产品,环保性能符合ROHS/无铅标准.1996年2月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界500强企业.爱普生晶振,温补晶振,TG2016SAN晶振,X1G0044210005晶振

爱普生晶振,温补晶振,TG2016SAN晶振,X1G0044210005晶振.产品本身具有温度补偿功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.
石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性。

爱普生晶振

标示

TG2016SAN晶振

晶振基本信息对照表

标准范围

f0

13.000MHz~40.000MHz

電源電圧

Vcc

+1.1V~+1.4V

输出电流

Icc

3.5mA max.

Vcc=3.3V

频率负载

L_CMOS

10pF


标准频率偏差

f_tol

±2.0×10-6 max.

TG-5006CE,TG-5035CE,TG-5035CJ,TG-5035CG,TG2016SAN,TG1612SAN,TG-5006CJ,TG-5006CG,TG-5035CJ,TG-5035CG

初期偏差、
周波数温度特性、
電源、負荷変動特性、
経時変化(1年、+25℃時)

输出电压

V

VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.

对称

SYM

40%~60%

50% Vcc

标准时间

tr/tf

12ns max.(1.8~80MHz)

10%Vcc~90%

X1G0044210005晶振系列原厂编码规格表:

原厂编码 型号 频率 封装 频率公差 工作温度 频率稳定性
X1G0044210003 TG2016SAN 26.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm +/-1.5 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm
X1G0044210004 TG2016SAN 26.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm +/-1.5 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm
X1G0044210005 TG2016SAN 38.400000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm
X1G0044210007 TG2016SAN 24.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm

TG2016SAN 2016 TCXO

噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能会导致2016低消耗晶振引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低。
输出负载
建议将输出负载安装在尽可能靠近石英振荡器的地方(在20 mm范围之间)。
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的日本温补晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。
安装方向
进口晶体振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确。
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致高性能TCXO晶振无法产生振荡和/或非正常工作。

爱普生TG2016SAN温补晶振系列型号:

TG2016SANFM

晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米。在泛音谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。在音叉式谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米。限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制电阻值(RD)取决于谐振器的类型,频带和设备的价值。电容器(C1,C2)。精确值是通过测量振荡电路的特性来确定的(包括负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序,在3pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。爱普生晶振,温补晶振,TG2016SAN晶振,X1G0044210005晶振

此外,振荡频率与测量点不同。1。测量缓冲输出2。有源晶体振荡器振荡级输出测量三.通过电容器测量振荡级输出图5示出以上1-3个测量点和所测量的除缓冲器输出外,振荡频率较低。

振荡补偿:除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。

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