爱普生晶振以时钟晶体,（32.768KHZ）系列出名,目前爱普生品牌遍布全世界,而千赫兹的晶体应用范围也比较广阔,所有的时记产品都需要用上KHZ系列晶体,该系列产品具有小型,薄型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域.主要从事压电石英晶振系列产品的生产,投资初期主要生产32.768KHZ系列产品,从2009年起32.768K系列产品转向马来西亚量产.苏州爱普生工厂就以生产高端的石英晶体振荡器为主,普通石英晶体谐振器为辅.
伴随信息化社会的进程,现在石英晶振已被广泛应用于各种电子设备以及家电产品之中,日趋重要. 爱普生拓优科梦（Epson — yocom）将进一步究极用精微加工发挥“石英”材料的优越性能的“QMEMS”技术,创造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同时,融合爱普生集团的半导体与软件技术增添便于使用、能让顾客更体验到利用价值的“解决方案”.通过上述工作,我们将为社会的发展以及实现更舒畅的未来而竭诚奉献.爱普生晶振,温补晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410026晶振
爱普生晶振,温补晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410026晶振.小体积贴片2016mm晶振,外观小型,表面贴片型晶体谐振器,因本身体积小等优势,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.小型,薄型,轻型 (2.0×1.6×0.73mm typ.) 具备优良的耐环境特性及高耐热性强.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
石英晶振真空退火技术：晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线，使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火，石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性，以及提高石英晶振的年老化特性。
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爱普生温补晶振规格 |
TG-5035CJ晶振 |
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温补晶振频率 |
13.000MHz~52.000MHz |
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常用标准频率 |
13MHz,16.368MHz,16.369MHz,19.2MHz,26MHz,38.4MHz |
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工作电压 |
+1.8V +2.5V +2.8V +3.0V +3.3V （代表値） |
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静态电流 |
（工作时）+1.2 mA max. (F≦15MHz)+1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） |
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TCXO输出电压 |
0.8Vp-p min. |
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TCXO输出负载 |
（10kΩ//10pF) ±10％ |
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常规温度偏差 |
±1.5×10-6(After 2 reflows) |
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频率温度偏差 |
±0.5×10-6/-30℃～+85℃ |
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±0.5×10-6/-40℃～+85℃（オプション） |
X1G0038410026晶振系列原厂编码：
| 原厂编码 | 型号 | 频率 | 封装尺寸 |
输出波 |
频率容许偏差 | 工作温度 |
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| X1G0038410002 | TG-5035CJ | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410004 | TG-5035CJ | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-1.5 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410010 | TG-5035CJ | 33.600000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-1.5 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410011 | TG-5035CJ | 16.369000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410015 | TG-5035CJ | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.5 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410017 | TG-5035CJ | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-1.5 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410026 | TG-5035CJ | 38.400000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410027 | TG-5035CJ | 52.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410029 | TG-5035CJ | 16.368000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410030 | TG-5035CJ | 24.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410033 | TG-5035CJ | 16.369000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410034 | TG-5035CJ | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410040 | TG-5035CJ | 24.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410048 | TG-5035CJ | 16.368000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410052 | TG-5035CJ | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-1.5 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.3 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410054 | TG-5035CJ | 16.367667 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
爱普生TG-5035CJ温补晶振系列型号规格表：
抗冲击
低抖动晶振可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
辐射
暴露于辐射环境会导致石英晶体性能受到损害，因此应避免照射。
化学制剂/pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解2016封装晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致SMD晶振所用的封装材料，终端，组件，玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 （比如，氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”，从而破坏密封质量，降低性能。）
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用无源晶振。即使少量的卤素气体，比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内，都可能产生腐蚀。同时，请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
静电
过高的静电可能会损坏TCXO晶振，请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候，请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路，并进行接地操作。
驱动能力：驱动能力说明温补晶振所需电功率，其计算公式如下：驱动能力 (P) = i2_Re其中i表示经过晶体单元的电流，Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。爱普生晶振,温补晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410026晶振
1、振荡电路：晶体谐振器是无源元件，因此受到电源电压、环境温度、电路的影响。配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和异常运行。因此，在振荡电路的设计中，先决条件之一是如何确定振荡电路。晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后，后续的项目，例如讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。
2。角色的分量与参考值：在振荡电路的设计中，必须认识到个体的作用。组件.在表1中，以例如振荡电路为例来描述角色。（图1）使用一个通用的C-MOS IC（74hcuo4ap东芝）。当反馈电阻（rf）未安装在振荡电路中时，如图所示表1，即使在振荡功率作用下，石英晶体谐振器也不会启动振荡。电路。除非有适当值的电阻器连接，否则振荡不会启动。
测试条件：(1) 电源电压超过150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2) 其他输入电容低于 15 pF.5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过石英晶体振荡器的放大器时，可同时进行测量。(3) 其他：CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）
爱普生晶振,温补晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710086晶振