全球咨询热线 : 0755-27837162

首页 爱普生晶振

EPSON晶体,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振

EPSON晶体,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振EPSON晶体,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振

产品简介

压电石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

产品详情

精工爱普生株式会社(总经理:碓井 稔,以下简称为“爱普生”)在2008年正式和深圳市金洛鑫电子有限公司签订在中国区域深圳总代理签订合作协议,在同年期间苏州爱普生水晶宣布将高端的石英晶体振荡器生产重心转移到中国苏州爱普生工厂生产,并且成立研发中心.因为智能手机,以及GPS卫星导航的普及,有源晶振得到迅速的发展,并且从早期5X7mm的体积演变到今天2520mm体积的温补晶振,压控晶振,以下是有源石英晶体振荡器部分产品型号,爱普生料号等.

爱普生贴片式贴片振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

EPSON晶体,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振,石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内。

小型贴片有源晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,贴片高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和各式IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等数码领域,符合RoHS/无铅.

爱普生晶振规格

SG7050CCN晶振

驱动输出

CMOS

常用频率

2.5~50MHZ

工作电压

+4.5~+5.5V(代表値)
電源電圧は+1.7V+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能

静态电流

(工作时)+1.2 mA max. (F15MHz)+1.4 mA max. (15F26MHz)
+1.6 mA max. (F26MHz)(スタンバイ時)+1μA以下

TCXO输出电压

0.8Vp-p min.

TCXO输出负载

10kΩ//10pF) ±10

常规温度偏差

±20/30/50×10-6(After 2 reflows)

频率温度偏差

±30×10-6/-40℃~+85

±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション)

爱普生日产有源兆赫兹晶振型号列表:

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
SG7050CBN 120.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -20 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG7050CBN 120.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG7050CBN 100.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -20 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG7050CBN 85.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -20 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG7050CCN 4.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
SG7050CCN 16.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
SG7050CCN 48.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
SG7050CCN 11.059200 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
爱普生日产有源兆赫兹晶振编码列表:

Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Product Number
Model Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
X1G0044910026 SG7050CBN 120.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -20 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0044910027 SG7050CBN 120.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0044910028 SG7050CBN 100.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -20 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0044910029 SG7050CBN 85.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -20 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0045010001 SG7050CCN 4.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
X1G0045010003 SG7050CCN 16.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
X1G0045010004 SG7050CCN 48.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %

SG5032CAN 7050CAN CBN CCN CMOS

机械振动的影响:当晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管OSC晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。EPSON晶体,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振

晶振产品使用每种产品时,请在贴片晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。

晶振产品的设计和生产直到出厂,都会经过严格的测试检测来满足它的规格要求。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高的可靠性的石英晶振.但是为了7050晶振的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安 装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用石英晶振所导致的不良不负任何责任。

此外,振荡频率与测量点不同。1。测量缓冲输出2。振荡级输出测量三.通过电容器测量振荡级输出图5示出以上1-3个测量点和所测量的除缓冲器输出外,振荡频率较低。EPSON晶体,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振


振荡补偿:除非在MHZ系列振荡器振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。

晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在高精度贴片有源晶振基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米。在泛音谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。在音叉式谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米。限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。

适当的控制电阻值(RD)取决于的类型,频带和设备的价值。电容器(C1,C2)。精确值是通过7050振荡器测量振荡电路的特性来确定的(包括负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序,在3pF的范围内-33pF左右,仅供参考。

返回头部