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精工晶振,VT-308晶振,智能通讯晶振

精工晶振,VT-308晶振,智能通讯晶振精工晶振,VT-308晶振,智能通讯晶振

产品简介

型  号:VT-308晶振

封  装:DIP插件封装

负载电容:6PF,9PF,12.5pf

工作温度:-40~+85度

产品详情

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1881年创业以来,精工晶振公司已不断地向全世界推出了各种具有革新性的商品和服务. 比如有源晶振,贴片晶振, 石英晶振,有源晶振,压控振荡器等。以腕表、电子元器件、系统解决方案的3大业务为轴心,推进各种业务,在全球范围内开展各项活动.

SEIKO是日本晶振制造商Seiko Instruments Inc.的缩写,也成为SIISII拥有世界上顶端的机械技术。除了是世界上著名的石英手表厂商,同时也生产电脑打印机。做电子元器件,在石英振子这一方面,SII也是做的非常之出色的,目前,能够与日本精工晶振全球同等级竞争的,只有日本大真空KDS

精工晶振的代理商都知道精工常用的频率都是32.768KHZ的,因此精工晶振通常也被称为精工表晶。SEIKO生产的石英晶振型号并不是很多,但是质量绝对可以和日产任何一个大品牌媲美。目前精工SEIKO已被列入全球晶振行业十强企业名单中。2012年精工SEIKO集团在国内投资1530万美元建设生产基地。更大的弥补了国内市场对高端晶体的需求。

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精工晶振,VT-308晶振,智能通讯晶振

精工晶振

符号

VT-308晶振

精工晶振基本信息对照表

Crystal标准频率

f_nom

32.768kHz


储存温度

T_stg

-55°C — +125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C — +85°C

精工晶振特定的温度

激励功率

DL

0.5μW (1.0μW Max.)

如你有最大激励功率为1.0μW需求,请联系我们金洛电子

精度

f_— l

±20 ppm

如有需要更高的精度可以特定.

拐点温度

Ti

+25°C ±5°C


负载电容

CL

7pF, 9pF, 12.5pF

可按客户需求指定

串联电阻(ESR)

R1

70kΩ Max.

70kΩ — 45kΩ

频率老化

f_age

±3 ×10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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VT-30832.768KSEIKO

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晶体无信号输出

1-1.

请测量信号输出的两个终端水晶使用示波器或频率计数器。如果没有信号输出,请按照步骤1到步骤1 - 4执行检查。如果有信号输出,终端的石英晶体(Xout),但在没有信号输出(),请检查后的水晶step1-5步骤1 - 6.

1-2.

请卸载水晶和测试频率和负载电容是否他们振动,满足你的规格使用专业测试机。你也可以寄给你的供应商为你测试它。

1-3.

如果有下列情况发生,水晶不振动,其负载电容不匹配你的规范,或者是一个电流频率和你的目标之间的巨大差距的频率,请把水晶给你的供应商进行质量分析。如果频率和负载电容满足您的规格,我们需要进行等效电路测试

1-4.

等效电路的测试

image002

1-4-1.

一般来说,微处理器来自科耳皮兹电路的振荡电路显示如下:

d-19

CdCg外部负载各,已建成的晶片组。(请参考规格的芯片集)

射频是反馈电阻with200KΩmΩ~ 1。这是建在芯片设置一般。

Rd限制与470Ω~ 1 kΩ电阻器。这种抵抗是不常见的电路只有电路所需电源。

1-4-2

稳定的振荡电路需要负电阻,其值应至少五次的水晶阻力。它可以写成| - r | > 5 Rr

例如,要获得一个稳定的振荡电路,集成电路的负电阻的值必须低于-200Ω当晶体电阻的值40Ω

1-4-3

负阻是衡量标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下,如老化、热变化,电压变化,等。,电路可能不振荡如果“Q”的价值很低。因此,它是非常重要的衡量负阻(- r)遵循下面的说明:

image004

(1)连接电阻(R)的水晶系列

(2)调整R的值从一开始就指出的停止点振荡。

(3)在振动测量R的值。

(4)你将能够获得负电阻的值,| - R R + | = Rr,Rr =水晶阻力。

:连接电路的寄生电容会影响测量值。

1-4-4

如果晶体的参数是正常的,但它不是工作稳步在振荡电路中,我们将不得不找出集成电路的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:

降低外部电容的值(CdCg),和采取其他水晶与降低负载电容(CL)

采用水晶阻力较低(Rr)

使用不平等的设计值的CdCg。我们可以提高Cd的负载电容(Xout)和降低负载电容的Cg()提高输出的波形振幅鑫将用于后端电路。

1 - 5

当有信号输出Xout但不新,它代表的电极后,后端电路的功耗是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲的输出电路之间及其后电极驱动端电路.

1 - 6

除了上面提到的1 - 5的方法,你也可以按照三种方法在步骤1-4-4

接触晶体或IC制造商的现场应用工程师为进一步援助,如果你的问题不能解决。

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在技术文献及产品应用上, 石英晶体共振子的共振有三组不同定义及特性的共振频率.

(1) 串联谐振频率及并联谐振频率 ( fs , fp )

(series resonance frequency and parallel resonance frequency)

(2) 谐振频率及反谐振频率 ( fr , fa )

(resonance frequency and anti-resonance frequency)

(3) 最大电导频率及最小电导频率 ( fm , fn )

(maximum admittance frequency minimum admittance frequency).

这三组频率的导纳(admittance)图, 可以从(图九)复数坐标清楚的看到

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Fig.9 Complex Admittance of Resonators

串联偕振频率及并联偕振频率, fs and fp ,是分别由电导(real part of the admittance)最大和阻抗(real part of the electric input impedance)最大时的频率.

谐振频率及反谐振频率, fr and fa , 分别是当电导等于零(纯电阻特性)的二个频率. 在这个时候, fr 的阻抗为 1 / Rr fa 的阻抗为 1/ Ra.

在评估共振时的等效线路时, 串联谐振频率及并联谐振频率, fs and fp , 是最重要的二个频率参数. 对于串联谐振频率及并联谐振频率( fs and fp )二者的关系, 我们可以用下列公式来表达:

d-12

公式中的C1及 L1 分别是(图七)中的动态电容(motional capacitance)及动态电感(motional conductance); Co 是静态电容(shunt capacitance).

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