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CTS晶振,贴片晶振,TFA20晶振,石英晶体谐振器

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产品简介

此款SMD晶体并且可以承受回流焊接的高温,波峰焊接,回流焊接等,贴片表晶主要特点是该产品排带包装,焊接模式主要使用SMT焊接,给现代SMT工艺带来高速的工作效率,32.768K系列产品本身具有体积小,厚度薄,重量轻等特点,此音叉型石英晶体谐振器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性能.

产品详情

进口无源SMD晶体,2012千赫兹谐振器,TFE20晶振

1999,CTS收购了摩托罗拉的组件产品部门(CPD)。更名为CTS的无线组件,这一收购将CTS在新兴的手机和基站市场前沿通过陶瓷过滤器的制造,双工器和其他通信组件。此外,90年代后期与美国动力公司(DCA)的合并,增强了CTS晶振作为电子元件的主要生产商的地位。2012、CTS完成•华裴Fisher公司的收购,在精度和频率的晶体振荡器的设计制造的领导者。此次收购扩大了CTS的技术和工程能力。
作为CTS过渡到上世纪70年代,环境污染问题导致美国政府授权的汽车排放控制要求。节气门位置传感和排气再循环控制的需要将CTS浸入到引擎盖和底盘位置传感器业务中,为公司打开新的市场机会。在之后的十年,为了满足不断增长的全球市场需求,CTS完成扩建石英晶工厂在墨西哥,新加坡,苏格兰,美国,加拿大,香港和台湾,进一步增加了CTS的全球影响力。


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CTS晶振,贴片晶振,TFA20晶振,石英晶体谐振器,32.768K音叉型石英晶体谐振器产品具有以下几种规格,∅3*8,∅2*6,我公司所有材料均是来自日本进口,封装测试设备采用日本精工仪器设备,并且从日本聘请高级技术工程师,我司所生产的32.768K晶体具备一致性良好,频率稳定度高,耐抗震强,每批次出厂均采用24小时老化测试,产品精度分为以下几±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根据客户需求特殊分为+偏差,或者-偏差,产品使用温度高温可达到+70°低温可达到-40°产品被广泛应用到比较高端的汽车电子产品,民用产品有家用电器,智能笔记本,MP3,MP4多功能播放器,智能手表等产品。
通过理论与实际相结合,累积多年的晶振研磨经验,通过深入细致地完善石英晶振研磨工艺技术,注重进口贴片晶振研磨过程的各种细节,注重晶振所用精磨研磨设备的选择;注重所使用水晶、研磨砂的选择等;注重石英晶振研磨用工装如:游轮的设计及选择,从而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、弯曲度都有很好的控制,最终使可研磨的石英晶振晶片的厚度越来越薄,贴片晶振晶片的频率越来越高,为公司在高频石英晶振的研发生产打下坚实基础,提升了晶振厂家的竞争力,使晶振厂家高频石英晶振的研发及生产领先于国内其它公司。

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CTS晶振

单位

TF16晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

32.768KHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C~+125°C

标准温度

激励功率

DL

0.1~0.5μW Max.

推荐:0.1~0.5μW

频率公差

f_— l

±10,20× 10-6

+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/

频率温度特征

f_tem

±15~±100× 10-6/-30°C~+85°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

5,7,9,12.5PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C~+85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

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TFA20 2012

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一般来说,无源陶瓷晶振微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组。 Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它的内置芯片一般设置。Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路。CTS晶振,贴片晶振,TFA20晶振,石英晶体谐振器

一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是进口石英晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)以下说明:

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线路连接的电阻(R)与晶体串联(2)从起点到振荡的停止点调整R的值。(3)振荡期间测量R的值。(4)你将能够获得负电阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值。如果音叉型的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:降低外部电容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有较低负载电容(CL)。

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负载电容:如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致2012石英晶体谐振器荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示电路的杂散电容。CTS晶振,贴片晶振,TFA20晶振,石英晶体谐振器

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1.振荡电路:晶体谐振器是无源元件,因此受到电源电压、环境温度、电路的影响。配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和异常运行。因此,在振荡电路的设计中,先决条件之一是如何确定振荡电路。音叉型石英晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后,后续的项目,例如讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。
2.角色的分量与参考值:在千赫兹贴片晶振振荡电路的设计中,必须认识到个体的作用。组件.在表1中,以例如振荡电路为例来描述角色。(图1)使用一个通用的C-MOS IC(74hcuo4ap东芝)。当反馈电阻(rf)未安装在振荡电路中时,如图所示表1,即使在振荡功率作用下,谐振器也不会启动振荡。电路。除非有适当值的电阻器连接,否则振荡不会启动。

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此外,振荡频率与测量点不同。1。测量缓冲输出2。振荡级输出测量三.通过32.768K时钟晶振电容器测量振荡级输出图5示出以上1-3个测量点和所测量的除缓冲器输出外,振荡频率较低。

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