SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振

计时产品提供了所有数字电子系统的心跳。在所有主要的市场中，有超过5000个客户在200多个应用中使用SiTime产品。我们的最高容量设计是在网络、消费者、计算和存储领域。2011年，我们开始为电信、无线和工业应用提供产品。SiTime的基于内存的硅计时解决方案受益于广泛的应用。作为石英晶振的替代品，SiTime的振荡器和时钟发生器已经成功地将石英计时工业转化为硅基产品。
SiTime改变了时机市场。在过去的几十年里，石英晶体振荡器、温补晶振、时钟发生器和谐振器是电子器件中主要的参考计时元件。由于没有其他选择，oem和ODMs接受了石英计时设备的固有限制。现在，随着强大的MEMS谐振器和高性能模拟电路的出现，SiTime已经开发出了克服石英器件局限性的突破性解决方案。除了MEMS和模拟电路的专业知识外，SiTime还具备以优异的质量和可靠性交付大量产品的能力。7050普通有源晶体,陶瓷封装晶体振荡器,SiT8002AA晶振

SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振.适用于时钟发生器，工业和太空/卫星应用.MEMS谐振器的体积比石英谐振器小1000倍，并且建在大批量的CMOS工厂中，而不是小型的定制生产设备。 由于体积小，体积大，制造工艺简单，MEMS振荡器本身更加可靠，性能更加稳定，一直处于备货状态.SiT8002AA通过消除石英晶体谐振器，对振动，冲击，应变等环境影响 ，绝对湿度。
SiTime贴片晶振的切型。采用高速线切割技术：1.优化及严格规范线切割机各项设备参数；2.通过试验精选所使用的各类线切割料，如：磨料、线切割线、槽轮等；3.确认最优的石英晶振切割工艺参数。通过以上方法使切割出的贴片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了石英晶振晶片的精度，提高了生产效率。

＜晶体谐振器＞
如果过大的激励电力对SMD晶体外加电压，有可能导致特性老化或损坏，因此请在宣传册、规格书中规定的范围内使用。
让无源晶振振荡的电路宽裕度大致为负性阻抗值。本公司推荐此负性阻抗为谐振器串联电阻规格值的5倍以上，若是车载和安全设备，则推荐10倍 以上。7050普通有源晶体,陶瓷封装晶体振荡器,SiT8002AA晶振
＜晶体振荡器＞
晶体振荡器的内部电路使用C-MOS。闭锁、静电对策请和一般的C-MOS IC一样考虑。
有些石英晶体振荡器没有和旁路电容器进行内部连接。使用时，请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器（陶瓷片状电容器等）以 最短距离连接。关于个别机型请确认宣传册、规格书。
＜晶体滤波器＞
注意电路板图形的配置，避免输入端子和输出端子靠得太近。如果贴装晶体滤光片的电路板的杂散电容较大，为了消除该杂散电容，有时需要配置调谐电路。如果过大的激励电力对谐振器外加电压，有可能导致特性老化或损坏，因此请在滤波器的输入电平在−10dBm以下的状态下使用。
＜光学产品＞
由于制造过程中进行了灰尘等异物管理，因此包装开封以后，请在进行清洁度管理的环境中使用。SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振

设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明硅MEMS振荡器单元所需电功率，其计算公式如下：
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流，
Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振

2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加2520四脚贴片晶振振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极电阻。

3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同，可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。7050普通有源晶体,陶瓷封装晶体振荡器,SiT8002AA晶振

频率和负载电容特征图器

振荡回路参数设置参考