SiTime晶振,2016有源晶体,SiT1602晶振

SiTime正在为电子产品的小型化提供支持，它提供的时间解决方案是行业中最小的包裹——最小的1.5 x 0.8毫米——以及减少元件数量的独特功能。我们的温补晶振通过将同一包中的多个组件的功能组合在一起，从而减少了董事会空间。半导体公司正在将我们的硅MEMS谐振器集成到他们的足球/asics中，从而完全消除外部时钟，简化系统设计。通过一个全新的全硅平台，SiTime有着卓越的历史成就。我们快速的技术突破是通过利用硅技术的优势，结合了数十年的MEMS谐振器经验和内部模拟技术来实现的。
SiTime的MEMS技术起源于博世和斯坦福大学。在我们的创始人创立SiTime之前，他们花了数年时间，在德国的博世和加州的帕洛阿尔托研发挽救生命的MEMS解决方案。自2005年成立以来，SiTime公司开发了几代先进的kHz和MHz MEMS贴片晶振，它们具有最高的性能、最小的漂移、最小的尺寸和最好的可靠性。我们还开发了一个全面的开发和仿真平台，确保了我们所有MEMS谐振器的第一个硅成功。

SiTime晶振,2016有源晶体,SiT1602晶振.包含一个可编程驱动强度特性，为特定应用提供一个简单而灵活的工具来优化时钟上升/下降时间。可编程驱动强度功能的好处是：通过减慢时钟上升/下降时间来改善系统辐射电磁干扰（EMI）•通过降低（加速）时钟上升/下降时间来改善下游时钟接收器（RX）抖动•能够在保持全速摆动的情况下，以较高的边沿速率驱动大容量负载。可以在最大电容负载下支持高达60 pF或更高的电压，并可多达3个额外的驱动强度设置。
SiTime晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶振晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶振的等效电阻等更接近理论值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。2016石英晶体振荡器,进口OSC有源晶振,SiT1602晶振

清洗
关于一般清洗液的使用以及超声波清洗没有问题，但这仅仅是对单个石英晶体振荡器产品进行试验所得的结果，因此请根据实际使用状态进行确认。
由于音叉型晶体谐振器的频率范围和超声波清洗机的清洗频率很近，容易受到共振破坏，因此请尽可能避免超声波清洗。若要进行超声波清洗，必须事先根据实际使用状态进行确认。2016石英晶体振荡器,进口OSC有源晶振,SiT1602晶振
撞击
虽然进口晶体振荡器产品在设计阶段已经考虑到其耐撞击性，但如果掉到地板上或者受到过度的撞击，以防万一还是要检查特性后再使用。
装载
＜SMD产品＞
SMD晶体产品支持自动贴装，但还是请预先基于所使用的搭载机实施搭载测试，确认其对特性没有影响。 在切断工序等会导致基板发生翘曲的工序中，请注意避免翘曲影响到产品的特性以及软焊。 基于超声波焊接的贴装以及加工会使得有源贴片晶振产品（谐振器、振荡器、滤波器）内部传播过大的振动，有可能导致特性老化以及引起不振荡，因此不推荐使 用。
＜引线类型产品＞
当引线弯折、成型以及贴装到印制电路板时，请注意避免对基座玻璃部分施加压力。否则有可能导致玻璃出现裂痕，从而引起性能劣化。SiTime晶振,2016有源晶体,SiT1602晶振
保管
保管在高温多湿的场所可能会导致端子软焊性的老化。请在没有直射阳光，不发生结露的场所保管。

1、振荡电路
贴片型晶体振荡器是有源元件，因此不会受到电源电压、环境温度、电路的影响。
配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和
异常运行。因此，在振荡电路的设计中，先决条件之一是如何确定振荡电路。
晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后，后续的项目，例如
讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。SiTime晶振,2016有源晶体,SiT1602晶振
2。角色的分量与参考值
在振荡电路的设计中，必须认识到个体的作用。
组件.在表1中，以例如振荡电路为例来描述角色。
（图1）使用一个通用的C-MOS IC（74hcuo4ap东芝）。
当反馈电阻（rf）未安装在振荡电路中时，如图所示
表1，即使在振荡功率作用下，谐振器也不会启动振荡。
电路。除非有适当值的电阻器连接，否则振荡不会启动。

晶体谐振腔的形式模式，但泛音振荡或基波。
2016mm封装有源晶体振荡开始代替。在基本谐振的情况下（MHz频段）反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器（兆赫频带）的情况下，值取决于IC和频率特性，但在几个范围内。
K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例（kHz频段），需要连接一个电阻10米或更?。

限制流入谐振器的电流，调节负电阻和励磁。
电平，防止谐振腔的反常振荡，抑制频率波动。
C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有
给定负载能力。
适当的控制电阻值（RD）取决于小体积有源晶振的类型，频带和设备的价值。
电容器（C1，C2）。精确值是通过测量振荡电路的特性来确定的（包括
负电阻和驱动级）。AT切割谐振器（兆赫频带）的参考值在几个范围内。
?几K?。音叉式谐振器（kHz频段）的参考值在100 K?几K?范围。2016石英晶体振荡器,进口OSC有源晶振,SiT1602晶振
安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和
振荡的顺序，在3 pF的范围内- 33 pF左右，仅供参考。