产品应用范围包含行动电话、平板电脑、卫星通讯、车载系统、全球定位系统、个人电脑、无线通信及家用产品等,扮演基本信号源产生、传递、滤波等功能。持续致力于技术研究开发及品质落实扎根,营运据点遍布台湾、中国大陆、日本、新加坡、美国及欧洲等世界各地,使希华得以提供服务予世界电子大厂。 希华晶振科技成立于1988年,专精于石英频率控制元件之研发、设计、生产与销售。从人工晶棒长成到最终产品,透过最佳团队组合及先进之生产技术,建立完整的产品线,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶体、晶体振荡器、晶体滤波器、温度补偿型及电压控制型产品等,以健全的供应炼系统,为客户提供全方位的服务。
2003年通过ISO14001环境管理系统验证,秉持“污染预防、持续改善”之原则,公司事业废弃物产出量逐年降低,可回收、再利用之废弃物比例逐年提高,各项排放检测数据符合政府法规要求。并由原材料管控禁用或限用环境危害物质与国际大厂对于绿色生产及绿色产品的要求相符,于2004年通过SONY 绿色伙伴(Green Partner)验证。希华晶体科技本于‘善尽企业责任、降低环境冲击、提升员工健康’的理念,执行各项环境及职业安全卫生管理工作;落实公司环安卫政策要求使环境暨安全卫生管理成效日益显著,不仅符合国内环保、劳安法令要求,同时也能达到石英晶振国际环保、安全卫生标准。
希华晶振,贴片晶振,SX-7050晶振,石英晶体谐振器,贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
白片频率(腐蚀频率): 如 14.560000 MHz (是 14.318180 腐蚀片中心频率)蒸镀目标频率: 标称频率±1000 PPM。(蒸镀微调、离子微调)3.3.1、Space:被银时放置石英晶振晶片的治具。根据贴片晶振晶片的直径(长度、宽度)、厚度选用合适尺寸的Space,尺寸过大容易造成被银电极偏位,尺寸偏小容易造成石英晶振晶片破碎和被银后贴片晶振晶片不宜取出。3.3.2、MASK:被银电极。一般情况下,石英晶振频率低选用大尺寸 MASK,贴片晶振频率高选用小尺寸 MASK,对同一规格产品 MASK 大、C0 大、电阻小。MASK 小、C0 小、电阻大。对有特殊要求(如 C0、C1、C0/C1、TS 等)的产品,在计算和试验的基础上选用合适的 MASK。对高频产品(尤其是高频 Fund)Mask 大,产品容易产生寄生。石英晶振离子刻蚀调频技术:比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:1.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;3.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内.
希华晶振 |
单位 |
SX-7050晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
6MHz~100MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C~+90°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-10°C~+80°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推荐:10μW~100μW |
频率公差 |
f_— l |
±10~±20~±30× 10-6(标准) |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-10°C~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
16PF,20PF,30PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C~ +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±15× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性:将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。希华晶振,贴片晶振,SX-7050晶振,石英晶体谐振器
台产晶振产品类型:插件晶振型,是指石英晶振采用引脚直插模式的情况下比如:椭圆形引脚插件,圆柱晶体引脚插件,晶振焊接条件:手工焊接+300°C或低于3秒钟 请勿加热封装材料超过+150°C,晶振产品类型:SMD型贴片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情况下,有些型号晶振高温可达260°,有些只可达230°,晶振焊接条件:+260°C或低于@最大值 10 s请勿加热封装材料超过+150°C,
每个封装类型的注意事项,陶瓷包装晶振与SON产品:在焊接陶瓷封装晶振和SON产品 (陶瓷包装是指晶振外观采用陶瓷制品) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂(开裂)。尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法。陶瓷包装石英晶振:在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷封装进口石英晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。
振荡补偿:除非在7050mm晶振振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。希华晶振,贴片晶振,SX-7050晶振,石英晶体谐振器
测试条件:(1) 电源电压? 超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。? 电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2) 其他:? 输入电容低于 15 pF? 5倍频率范围或更多测量频率。? 铅探头应尽可能短。? 测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行MHZ级晶体谐振器测量。(3) 其他:? CL包含探头电容。? 应使用带有小的内部阻抗的电表。? 使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线。)
确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。接触振荡电路。探针不影响图2,因为缓冲器的输出是通过7050贴片晶振输入振荡电路的输出来测量的。逆变器进入下一阶段。探针不影响图3,因为在IC上测量缓冲器输出(1/1、1/2等)。图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况,由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。输出点之间的电容(3 pF以下XTAL终端IC)和探针。然而,应该注意到,使用这种方法输出波形较小,测量不能依赖于即使示波器能检查振荡波形,频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下,使用放大器来测量。