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Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振

Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振

产品简介

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产品详情

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Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振,Renesas晶振,XA有源晶振,XAL335125.000000I晶振,3225mm晶振,超精密晶体振荡器,进口贴片晶振,频率125MHz,工作温度-40~85°C,电压3.3V,低相噪晶振,低成本晶振,6G应用晶振,移动应用晶振,消费电子产品晶振,车载应用晶振.

Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振特点:

符合AEC-Q200标准

频率范围:0.750MHz至1350MHz

输出类型:LVDS, LVPECL, LVCMOS

频率稳定性:±25,±50,或±100 ppm

供电电压:2.5V或3.3V

相位抖动(12kHz至20MHz): 750fs至890fs典型

包装选项:

•3.2 × 2.5 × 1.0 mm

•5.0 × 3.2 × 1.2毫米

工作温度:-40°C至+85°C(3级)

•稳定性选项:±25,±50,或±100 ppm

工作温度:-40°C至+105°C(2级)

•频率稳定性选项:±50或±100 ppm

高端数码电子谐振器,8045陶瓷壳2P晶振,NX8045GE晶振

Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振参数表

项目 符号 规格说明 条件
额定频率 f_nom 125MHz 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压 Vcc 3.3V±0.3V
储存温度 T_stg -55℃~+125℃ 裸存
工作温度 T_use -40℃~ +85℃
频率公差(标准) f_tol ±50ppm +25℃,超出标准的规格说明请联系我们以便获取相关信息
供电电流 IDD 100mA Max OE=Vcc,L LVDS
差分输出电压 VOD 0.6V Max VDD = 3.3V ±5%.
对称性 SYM 45%~55% Atoutputscrossing point
输出负载 L_LVDS 100Ω LVDS
输入电压 VIH 70%Vcc Min LVDS
VIL 30%Vcc Max
上升下降时间 tr/tf 400ps Max LVDS 20% to 80% Vpp
起始时间 t str 10ms Max VDD达到最小指定水平后输出有效时间
周期抖动 JPER

3ps Typ

LVDS
相位抖动 tpj 890fs Typ 12KHZ~20MHz
老化 f_aging ±10ppm/year +25℃,第一年,Vcc=2.5V,3.3V

高端数码电子谐振器,8045陶瓷壳2P晶振,NX8045GE晶振

Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振尺寸

XA-3225

XA

XA-1

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