NDK晶振集团作为频率的综合生产企业,为了向客户提供高信赖性品质的产品,我们始终追求最高品质的产品生产和服务,以「通过对客户的服务,为社会繁荣和世界和平作贡献」这样的公司创业理念作为我们的使命,今后也会为社会的[安全、安心、舒适]作出贡献。请各位继续给予我们支持!NDK晶振,贴片晶振,NX1610SA晶振
NDK晶振集团将确保其石英晶振产品及相关设施满足甚至超出国家的、州立的以及地方环保机构的相关法规规定及其他要求,同时该公司尽可能的参与并协助政府机关和其他官方组织从事的环保活动。在地方对各项设施的管理责任中,确保满足方针的目标指标,同时在各种经营与生产活动中完全遵守并符合现行所有标准规范的要求。
NDK晶振,贴片晶振,NX1610SA晶振.贴片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型石英晶体谐振器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性能.
NDK贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。
NDK晶振 |
单位 |
NX1610SA晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
32.768KHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
0.1μW Max. |
推荐:0.1μW~0.5μW |
频率公差 |
f_— l |
±20× 10-6(标准) |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±20 × 10-6/-40°C ~+85°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
6pF/9PF/12.5PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~ +85°C,DL =0.1μW |
频率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
<晶体谐振器>
如果过大的激励电力对石英晶体谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在宣传册、规格书中规定的范围内使用。让无源晶振振荡的电路宽裕度大致为负性阻抗值。本公司推荐此负性阻抗为谐振器串联电阻规格值的5倍以上,若是车载和安全设备,则推荐10倍 以上。
<晶体振荡器>
晶体振荡器的内部电路使用C-MOS。闭锁、静电对策请和一般的C-MOS IC一样考虑。有些石英晶体振荡器没有和旁路电容器进行内部连接。使用时,请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器(陶瓷片状电容器等)以 最短距离连接。关于个别机型请确认宣传册、规格书。
<晶体滤波器>
注意电路板图形的配置,避免输入端子和输出端子靠得太近。如果贴装晶体滤光片的电路板的杂散电容较大,为了消除该杂散电容,有时需要配置调谐电路。如果过大的激励电力对谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在滤波器的输入电平在−10dBm以下的状态下使用。NDK晶振,贴片晶振,NX1610SA晶振
<光学产品>
由于制造过程中进行了灰尘等异物管理,因此包装开封以后,请在进行清洁度管理的环境中使用。
设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明1610贴片晶振所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。NDK晶振,贴片晶振,NX1610SA晶振
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加32.768K贴片晶振振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3.负载电容
如果数字水表晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考