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加高晶振,小体积晶体,HSX111SA晶振

加高晶振,小体积晶体,HSX111SA晶振加高晶振,小体积晶体,HSX111SA晶振

产品简介

体积非常小的SMDcrystal器件,是民用小型无线数码产品的最佳选择,小体积的晶振被广泛应用到,手机蓝牙,GPS定位系统,无线通讯集,高精度和高频率的稳定性能,非常好的减少电磁干扰的影响,是民用无线数码产品最好的选择.

产品详情

JG-1

加高电子本着顾客满意与品质领先的使命感,为提供客户稳定的贴片晶振品质,本公司均依照TS16949 / ISO9001的国际品质认证要求,执行并建构品质保证系统,实行严格的品质控制制度,加高电子品质管理系统的推动执行,是由品质政策展开,合理化推动品质管理,落实品质系统有效实施,相继于2000年取得ISO9001认证,2006年经BVQi验证取得ISO / TS16949品质系统之标准。
面对全球社会,景气,气候等环境的变化,身为地球村一份子的加高深信,企业在追求持续成长与绩效之际,更应善尽企业社会责任,坚守创造企业与社会一同向上,向善的使命感。加高电子的企业核心文化为「用心,创新,和谐,信赖」,在企业持续经营石英晶体谐振器产业过程中以持续改善的理念,落实企业社会责任,为股东,客户,供应商,员工等各界利害相关者创造最大之利益。

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加高晶振,小体积晶体,HSX111SA晶振.贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
加高晶振高精密点胶技术:石英晶振晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使石英晶振晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。将被上银电极的晶片装在弹簧支架上,点上导电胶,并高温固化,通过弹簧即可引出电信号。

JLX-2

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加高晶振

单位

HSX111SA晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

24.000MHZ~54.000MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C~+125°C

裸存

工作温度

T_use

-10°C~+60°C

标准温度

激励功率

DL

10μW Max.

推荐:1μW100μW

频率公差

f_— l

±7 × 10-6(标准),
(±7× 10-6~
±50× 10-6可用)

+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/

频率温度特征

f_tem

±10× 10-6/-10°C~+60°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF、10pF、12pF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-10°C ~+60°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±5× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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HSX111SA 1612

JLX-4

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抗冲击
贴片晶振可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
辐射
暴露于辐射环境会导致无源晶振性能受到损害,因此应避免照射。
化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解进口晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致1612晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 (比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用无源晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。加高晶振,小体积晶体,HSX111SA晶振
静电
过高的静电可能会损坏高精度晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。

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设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明无源贴片晶振所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。加高晶振,小体积晶体,HSX111SA晶振

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2.振荡补偿
除非在贴片型石英晶体谐振器振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。

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3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致贴片晶振1612振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。

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频率和负载电容特征图器

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振荡回路参数设置参考

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