Raltron产品具有精确的频率容稳定性好,频率范围宽,封装更小,相位噪声低,抖动小等优点,最重要的是,他们以非常有竞争力的成本满足或超越客户的规格。公司对研发的承诺使得不断创造领先边缘晶体和石英晶体振荡器器件和技术多年。今天,拉尔特龙提供高性能频率控制解决方案满足和超越客户的期望价格,质量,应用工程和客户支持。
RALTRON晶振集团建立一种可测量的发展和改进的目标指标,定期进行内审和管理评审。在现有的或新生的各种活动中不断监测和改进环境绩效。通过对石英晶振生产活动的持续改进和促进对低效或无效的环境法律法规进行合理化转变,努力提高环境管理中资本的效力。重视污染预防,消除偏离程序的行为强调通过员工努力这一最可行的方法持续改进我们经营活动的环境绩效。
Raltron晶振,石英贴片晶振,H13晶振.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷谐振器外壳更好的耐冲击性.
拉隆厚度单位: ?全自动贴片石英晶振晶片清洗技术:采用高压喷淋清洗,兆声振动的原理,一个全自动、清洗过程由PLC控制,由传输装置、喷淋清洗段、喷淋漂洗段、风力吹水段等, 操作自动化程度高,除上下工件需要人工外,其余全部由设备自动完成。根据需要,对速度,温度,时间等参数进行调整,使之最大限度的满足工艺需要。能最大限度除去晶片污染物,并防止人工污染。
Raltron晶振 |
单位 |
H13晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
6.000MHZ~100.000MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-30°C~+85°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
1μW Max. |
推荐:1μW~100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准), |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-30°C~+85°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
12pF~32pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。Raltron晶振,石英贴片晶振,H13晶振
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用耐高温晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致无源晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致SMD晶体振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。
设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明石英贴片晶振单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3. 负载电容
如果7050耐高温石英晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。Raltron晶振,石英贴片晶振,H13晶振
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考