我们的理念始终以产品和服务的质量和一致性为基础。我们多年来一直努力保持我们的进口插件晶振在频率控制市场的发展的最前沿。我们高度重视与我们的制造业伙伴发展的关系，每一个精心挑选，以自己对客户服务和产品质量标准的承诺。golledge商业团队是该行业最有经验的团队之一。我们的知识渊博的工程师和销售团队致力于与我们的客户密切合作，从最初的设计到全面生产。
石英晶振的切割设计：用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割，可获得不同特性的石英晶片，通常我们把进口晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位（角度）的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其弹性性质，压电性质，温度性质不同，其电特性也各异，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。晶振的真空封装技术：是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使晶振组件在真空下电阻减小；3.气密性高。
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Golledge晶振 |
单位 |
GSCX-26晶振 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
30~165KHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-55°C～+125°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-40°C～+85°C |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推荐:1.0μW |
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频率公差 |
f_— l |
±30 × 10-6(标准) |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
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频率温度特征 |
f_tem |
﹣0.034~±0.006 × 10-6/-20°C～+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
12.5pF |
不同负载要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
4：粘合剂:请勿使用可能导致DIP石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。） 5：卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6：静电:过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
进口KHZ晶振产品的设计和生产直到出厂,都会经过严格的测试检测来满足它的规格要求。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高的可靠性的石英晶振.但是为了石英晶振的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安 装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用石英晶振所导致的不良不负任何责任。
驱动能力:驱动能力说明2*6弯脚音叉晶体振荡晶体单元所需电功率，其计算公式如下：驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过晶体单元的电流，Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.Golledge晶振,石英晶振,GSCX-26晶振,石英弯脚晶体
测试条件(1)电源电压:超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量音叉表晶频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时，可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）.
1.振荡电路:晶体谐振器是无源元件，因此受到电源电压、环境温度、电路的影响。配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和异常运行。因此，在2×6圆柱晶振振荡电路的设计中，先决条件之一是如何确定振荡电路。晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后，后续的项目，例如讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。
2.角色的分量与参考值:在2*6圆柱插件晶振振荡电路的设计中，必须认识到个体的作用。组件.在表1中，以例如振荡电路为例来描述角色。（图1）使用一个通用的C-MOS IC（74hcuo4ap东芝）。当反馈电阻（rf）未安装在振荡电路中时，如图所示表1，即使在振荡功率作用下，谐振器也不会启动振荡。电路。除非有适当值的电阻器连接，否则振荡不会启动。
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