Statek在陶瓷晶振封装中使用玻璃或陶瓷外壳组装晶体谐振器。Statek产品比机械制造的水晶产品要小得多。Statek晶体、振荡器和传感器的典型特征是:高稳定性和精密频率,低长期老化,低功耗,非常小的足迹,优秀的耐冲击性,超低调,在美国设计和制造,设计能力定制设计的有限元分析软件,在构建实物原型之前,能够准确地进行设备行为建模,节省您的时间。通过我们广泛的设计和过程库,从我们过去的成功中获益。Statek拥有设计和分析各种操作模式中所有机械几何形状的石英谐振器的专门知识。
Statek公司是设计和制造高可靠性频率控制产品的领导者,它宣布了DFXO石英晶体谐振器的发布。微分输出石英晶体振荡器可用LVDS和LVPECL输出。这5毫米x7毫米高频(20 MHz到300mhz)振荡器的特点是低相位噪声和低相位抖动,达到155.52 MHz的基本晶体频率。适用于Xilinx FPGA参考时钟应用。提出了扩展工业温度范围(-40°C + 105°C)。内部解耦电容;不需要外部电容器。
Statek晶振,贴片晶振,CX9SMAT晶振,石英进口晶振,贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性。
STATEK晶振 |
单位 |
CX9SMAT晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
14.7456~49MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-10°C~+125°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW~100μW |
频率公差 |
f_— l |
±100 × 10-6(标准), |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-55°C~+200°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
10pF |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-55°C — +200°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
这些进口晶振知识介绍是指,晶振在产品上线之后发生不良品或者没反应的情况下,自检办法。石英晶振如果在电路上的功能不规则或根本无法全部晶振找出得到了应用操作,请使用以下的清单找出可能存在的问题。请按照确定的因素和可能的解决方案的说明。我们从晶振使用输出无信号开始寻找相关问题。Statek晶振,贴片晶振,CX9SMAT晶振,石英进口晶振
我们可以先使用示波器或者频率计数器来检查石英贴片晶体终端的两个信号,如果没有信号输出,请按照步骤1-1到1-4步执行检查。如果有从石英晶振(XOUT)的输出端子的输出信号,而是从在终端(辛)输出没有信号,请检查石英晶振体以下step1-5到步骤1-6。
你可以先把晶体卸载下来并测试进口SMD晶振的频率和负载电容,看看他们是否能振动,也可以使用专业的石英晶体测试仪器来检测 。如果你没法检测你也可以将不良品发送给我公司,我们检测分析之后告诉你结果。如果有下列情况发生,晶振不起振,首先你先查看你产品上使用的负载电容CL是否对,是否跟你的线路相匹配,或者是晶振的精度是否符合你的要求,或者你可以把产品发送回我公司分析。如果晶振频率和负载电容跟要求相对应的话,我们将需要进行等效电路测试。比如等效电路测试如下:
晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在进口无源晶振基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。Statek晶振,贴片晶振,CX9SMAT晶振,石英进口晶振
适当的控制电阻值(RD)取决于谐振器的类型,频带和设备的价值。电容器(C1,C2)。精确值是通过陶瓷面无源贴片晶体测量振荡电路的特性来确定的(包括负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。
驱动能力:驱动能力说明超薄SMD晶振振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过晶体单元的电流,Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL).
测试条件(1)电源电压:超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过陶瓷面二脚晶振振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线).