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Statek晶振,贴片晶振,CX1VHT晶振

Statek晶振,贴片晶振,CX1VHT晶振Statek晶振,贴片晶振,CX1VHT晶振

产品简介

贴片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型石英晶体谐振器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

产品详情

Statek-2

Statek提供高精确度和高质量的贴片晶振的医疗应用。产品包装尺寸小,功耗低,稳定性好。我们是世界一流医疗器械制造商的信赖供应商。Statek在陶瓷封装中使用玻璃或陶瓷外壳组装晶体谐振器。Statek产品比机械制造的水晶产品要小得多。Statek晶体、振荡器和传感器的典型特征是:高稳定性和精密频率,低长期老化,,低功耗,非常小的足迹,优秀的耐冲击性,超低调,在美国设计和制造和设计能力。
Statek的晶体和石英振荡器非常坚固,使其成为对环境要求较高的应用的绝佳选择。 我们的晶体和振荡器可以承受高达100,000克的冲击,并且坚固耐用。Statek为医疗应用提供高精度和高质量的石英晶体。 我们的产品具有小封装尺寸,低功耗和高稳定性。 我们是全球领先的植入式医疗设备制造商值得信赖的供应商。

JLX-1

Statek-1

Statek晶振,贴片晶振,CX1VHT晶振.32.768K时钟晶体具有小型,薄型,轻型的贴片晶振表面音叉型晶体谐振器,本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性,工作温度范围:-55OC ~+200OC,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.
Statek石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。无源晶体该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内。

JLX-2

RB-2

STATEK晶振

单位

CX1VHT晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

32.768KHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作温度

T_use

-55°C ~+200°C

标准温度

激励功率

DL

0.5μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±30 × 10-6(标准),
(±30× 10-6~
±200× 10-6可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息, http://www.quartzcrystal.cn/

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-55°C ~ +200°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

9pF

不同负载要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±5× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

CX1-10183_8.0_3.56

JLX-4

RB-4

操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。Statek晶振,贴片晶振,CX1VHT晶振
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用耐高温晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致时钟晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致石英晶体谐振器振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。

JLX-5

RB-5

设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明陶瓷贴片晶振单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。Statek晶振,贴片晶振,CX1VHT晶振

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2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加耐高温陶瓷面晶振振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。

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3.负载电容
如果高稳定晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。

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频率和负载电容特征图器

sjzrhl_4

振荡回路参数设置参考

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