TXC晶振,有源晶振,BX晶振,BX-100.000MBE-T晶振

TXC晶振,有源晶振,BX晶振,BX-100.000MBE-T晶振,石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求，贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高。对于晶振的条片，长边为 X 轴，短边为 Z 轴，面为 Y 轴。对于圆片晶振，X、Z 轴较难区分，所以石英晶振对精度要求高的产品（如部分定单的 UM-1），会在 X 轴方向进行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的装架点胶，点胶点点在 Z 轴上。保证晶振产品的温度特性。

小型贴片进口晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,贴片高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和各式IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等数码领域,符合RoHS/无铅.

TXC晶振公司是一家领先的专业频率控制，温补晶振,石英晶体振荡器，石英晶体谐振器,石英晶体，进口晶振,有源晶振,压控振荡器等产品制造商致力于研究，设计，制造和销售双列直插封装（DIP）和表面贴装器件（SMD）石英晶体和振荡器产品。经过三十年的努力，台湾晶技总公司而外，另设有如下之生产据点：总公司：台北市北投区中央南路二段16号4楼,平镇厂：桃园市平镇区平镇工业区工业六路4号,宁波厂：宁波市北仑区黄山西路189号,重庆厂：重庆市九龙坡区凤笙路22号.

TXC晶振目前专业从事这些类别的产品：晶振（32.768kHz，基本兆赫，高精度的兆赫，汽车级）愿景宣言:矢志提供信息、通讯、光电、汽车产业频率控制组件所需之各项应用产品，并于2015年达成两百亿之营业目标，同时成为全球石英晶体产业经营绩效最好公司之一以及石英产业的前三大。

台产TXC有源石英进口晶振型号列表：

存储事项:(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存金属面晶振时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。 正常温度和湿度： 温度：+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。TXC晶振,有源晶振,BX晶振,BX-100.000MBE-T晶振

耐焊性：将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏石英晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。

进口振荡器自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等。

如果振荡电路中负载电容的不同，可能导致智能导航金属面晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示电路的杂散电容。TXC晶振,有源晶振,BX晶振,BX-100.000MBE-T晶振

振荡补偿:除非在振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加TXC有源晶振振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极电阻。

晶体谐振腔的形式模式，但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在爱普生进口晶振基本谐振的情况下（MHz频段）反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器（兆赫频带）的情况下，值取决于IC和频率特性，但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例（kHz频段），需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流，调节负电阻和励磁。电平，防止谐振腔的反常振荡，抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。

适当的控制电阻值（RD）取决于谐振器的类型，频带和设备的价值。电容器（C1，C2）。精确值是通过7050贴片晶体振荡器测量振荡电路的特性来确定的（包括负电阻和驱动级）。AT切割谐振器（兆赫频带）的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器（kHz频段）的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序，在3 pF的范围内- 33 pF左右，仅供参考。