EPSON晶体,有源晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振

在2010年全球晶振厂家排名中,占据首位.爱普生仅此一项水晶振动子行业就能足矣让电子世界的人都敬佩不已.爱普生晶振以32.768KHZ晶振称霸晶振行业,主要消费在手机,PCB,等电子产品.同时爱普生以提供原子钟的精准振荡器知名业界.仅此在音叉振子和振荡器还远远达不到爱普生本身的要求.他们要求的是在元器件占领NO1.

因此除了KHZ,MHZ的研究发展,另外还发明GHZ技术,使工艺技术达到人无完人,史前无例,实现以基波方式产生2.5GHz为止高频的表面声波（SAW）元器件.爱普生拓优科梦把半导体（IC）称之为“产业之米”,并认为石英晶体元器件更是离不开的“产业之盐”.将进一步致力于小型、高稳定、高精度晶体元器件的开发,为现有的应用程序以及生活新蓝图开拓广阔前景. 　爱普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶振元器件已以23%的市场占有率位于业界第一.

EPSON晶体,有源晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振,贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边，主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除，而石英晶振晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动了不稳定。

小型贴片3225晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体振荡器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

爱普生日产有源兆赫兹晶振型号列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG-210STF	33.333333 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210STF	4.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210STF	33.330000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210STF	10.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG3225VAN	125.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG3225VAN	125.006250 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG3225VAN	100.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG3225VAN	200.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0041710298	SG-210STF	33.333333 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710299	SG-210STF	4.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710300	SG-210STF	33.330000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710304	SG-210STF	10.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0042410001	SG3225VAN	125.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042410002	SG3225VAN	125.006250 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042410004	SG3225VAN	100.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042410005	SG3225VAN	200.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

存储事项:(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存压电石英晶体时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。 正常温度和湿度： 温度：+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。EPSON晶体,有源晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振

耐焊性：将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。

金属面晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等。

每个封装类型的注意事项.

振荡补偿:除非在进口晶体振荡器振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极电阻。EPSON晶体,有源晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振

适当的控制电阻值（RD）取决于谐振器的类型，频带和设备的价值。电容器（C1，C2）。精确值是通过3225车载设备振荡器测量振荡电路的特性来确定的（包括负电阻和驱动级）。AT切割谐振器（兆赫频带）的参考值在几个范围内。音叉式谐振器（kHz频段）的参考值在100 K。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序，在3 pF的范围内- 33 pF左右，仅供参考。

晶体谐振腔的形式模式，但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在基本谐振的情况下小体积OSC振荡器（MHz频段）反馈电阻通常是1米。在泛音谐振器（兆赫频带）的情况下，值取决于IC和频率特性，但在几个范围内。在音叉式谐振器的案例（kHz频段），需要连接一个电阻10米或更。限制流入谐振器的电流，调节负电阻和励磁。电平，防止谐振腔的反常振荡，抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。

振荡补偿:除非在金属面贴片晶振振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极电阻。