SiTime晶振的MEMS技术起源于博世和斯坦福大学。在我们的创始人创立SiTime之前，他们花了数年时间，在德国的博世和加州的帕洛阿尔托研发挽救生命的MEMS解决方案。我们已经向世界各地的客户提供了超过7亿部份的产品，在MEMS的时间安排上有90%的份额，并且每年都在以超过50%的速度增长。SiTime是兆大公司(东京证券交易所:6875)的独立子公司。SiTime于2013年进入智能手机市场，第一个是移动电话的MEMS振荡器，现在可穿戴设备和物联网应用正在快速增长。
我们让oem厂商和ODMs都很容易使用SiTime贴片晶振。我们的QFN振荡器是100%的替代石英振荡器，而不需要任何板上的改变。另外，我们的可编程架构使最灵活的产品具有更多的特性和超快的交货期。SiTime解决方案是一个很容易的选择——一旦我们的客户使用SiTime产品，他们很少会回到quartz。超小型有源晶振,低电压晶体振荡器,SiT1552晶振
SiTime晶振,温补晶振,SiT1552晶振.是针对电池供电应用而优化的超小型，超低功耗32.768 kHz TCXO。 SiTime的硅MEMS技术使全球最小的封装和芯片级封装（CSP）中的首款32 kHz TCXO成为可能。典型的内核电源电流仅为1μA。与标准振荡器不同的是，SiT1552具有NanoDrive™（工厂可编程输出），可降低电压摆幅以最大限度地降低功耗。TCXO频率稳定性SiT1552在多个温度点进行出厂校准（微调），以确保在整个温度范围内具有极高的稳定性。
SiTime贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边，主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除，而石英晶振晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动了不稳定。
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SiTime晶振 |
标示 |
SiT1552晶振 |
晶振基本信息对照表 |
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标准范围 |
f0 |
32.768KHz |
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電源電圧 |
Vcc |
＋1.5V~3.63V |
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输出电流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc1.8V |
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频率负载 |
L_CMOS |
15pF |
LVCMOS出力 |
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标准频率偏差 |
f_tol |
±5.0×10-6 max.
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初期偏差、 |
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输出电压 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
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对称 |
SYM |
40%～60% |
50% Vcc |
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标准时间 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8～80MHz) |
10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF |
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音，可能导致会引发32.768K温补晶振功能失常或击穿的闭门或杂散现象。
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低。SiTime晶振,温补晶振,SiT1552晶振
输出负载
建议将输出负载安装在尽可能靠近石英振荡器的地方（在20 mm范围之间）。
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应，从而导致非正常工作。同时，当P通道和N通道都处于打开时，电源功率消耗也会增加；因此，请将未用输入终端连接到VCC 或GND。
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的32.768K晶体振荡器的产品特性，并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。
安装方向
进口晶体振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃，因此安装时，请检查安装方向是否正确。超小型有源晶振,低电压晶体振荡器,SiT1552晶振
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电，否则会导致导航仪有源晶振无法产生振荡和/或非正常工作。
输出波形与测试电路
1.时序表
2.测试条件
(1)电源电压
超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。超小型有源晶振,低电压晶体振荡器,SiT1552晶振
电源电压阻抗低于电阻 2Ω。
(2)其他
输入电容低于 15 pF
5倍频率范围或更多测量频率。
铅探头应尽可能短。
测量频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时，可同时进行测量。
(3)其他
CL包含探头电容。
应使用带有小的内部阻抗的电表。
使用微型插槽，以观察波形。
（请勿使用该探头的长接地线。）SiTime晶振,温补晶振,SiT1552晶振
3.测试电路
