SiTime在MEMS(微机电系统)技术、模拟CMOS电路设计和开发方面具有深厚的技术专长，并具有成本效益的组装和测试。这些专业技术的结合，都是在SiTime内部进行的，在计时行业中是独一无二的，推动创新的速度要比quartz快得多。除了MEMS和模拟电路的专业知识外，SiTime还具备以优异的质量和可靠性交付大量产品的能力。这种能力来自于我们的装配、测试和校准技术，使我们能够提供一个完全集成的解决方案，完全可以与行业标准的脚印相兼容。
SiTime的基于内存的硅计时解决方案受益于广泛的应用。作为石英设备的替代品，SiTime的振荡器和时钟发生器已经成功地将石英计时工业转化为硅基产品。通过一个全新的全硅平台，SiTime有着卓越的历史成就。我们快速的技术突破是通过利用硅技术的优势，结合了数十年的MEMS谐振器经验和内部模拟技术来实现的。半导体公司正在将我们的硅MEMS谐振器集成到他们的足球/asics中，从而完全消除外部时钟，简化系统设计。
SiTime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振.是全球最小，功耗最低的32.768kHz振荡器，针对移动和其他电池供电应用而优化。SiTime的硅MEMS技术实现了最小尺寸和芯片级封装。与现有的2.0*1.2mm SMD XTAL封装相比，该器件可将32 kHz占用空间减少85％。与XTAL不同，SiT1532振荡器输出实现了更大的元件贴装灵活性，并消除了外部负载电容，从而节省了额外的元件数量和电路板空间。
SiTime晶振的真空封装技术：是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使晶振组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一。
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SiTime晶振 |
标示 |
SiT1532晶振 |
晶振基本信息对照表 |
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标准范围 |
f0 |
32.768KHz |
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電源電圧 |
Vcc |
＋1.5V~3.63V |
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输出电流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
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频率负载 |
L_CMOS |
15pF |
LVCMOS出力 |
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标准频率偏差 |
f_tol |
±10、±20×10-6 max.
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初期偏差、 |
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输出电压 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
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对称 |
SYM |
40%～60% |
50% Vcc |
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标准时间 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8～80MHz) |
10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF |
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音，可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低。
输出负载
建议将输出负载安装在尽可能靠近石英振荡器的地方（在20 mm范围之间）。
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应，从而导致非正常工作。同时，当P通道和N通道都处于打开时，电源功率消耗也会增加；因此，请将未用输入终端连接到VCC 或GND。
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的有源晶振的产品特性，并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。
安装方向
进口晶体振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃，因此安装时，请检查安装方向是否正确。
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电，否则会导致有源晶体无法产生振荡和/或非正常工作。
设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率，其计算公式如下：
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流，
Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同，可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考
SiTime晶振,有源晶振,SiT1533晶振
RTC晶振,SM33K进口晶振,PLETRONICS晶振,SM3344KE-32.768K,2520有源贴片