希华晶体科技成立于1988年,专精于石英频率控制元件之研发、设计、生产与销售。敏锐地掌握SMD晶振电子产品轻薄短小化、快速光电宽频传输与高频通讯的发展主流,致力于开发小型化、高频与光电领域等产品,与日本同业并驾齐驱。且深耕微机电(MEMS)技术领域,加速导入TF SMD Crystal的量产,藉以扩大公司营收规模并且提升获利空间。藉由台湾、日本、大陆三地的产品设计开发与制程资源整合,不断开发创新及制程改造,以全系列完整产品线,来满足客户对石英元件多样化的需求。积极地透过产学合作与配合国外技术引进开发新产品,多角化经营、扩大市场领域,此亦为公司得以永续经营的方针。
石英晶体谐振器产品应用范围包含行动电话、平板电脑、卫星通讯、车载系统、全球定位系统、个人电脑、无线通信及家用产品等,扮演基本信号源产生、传递、滤波等功能。持续致力于技术研究开发及品质落实扎根,营运据点遍布台湾、中国大陆、日本、新加坡、美国及欧洲等世界各地,使希华得以提供服务予世界电子大厂。 希华晶体科技本于‘善尽企业责任、降低环境冲击、提升员工健康’的理念,执行各项环境及职业安全卫生管理工作;落实公司环安卫政策要求使环境暨安全卫生管理成效日益显著,不仅符合国内环保、劳安法令要求,同时也能达到国际环保、安全卫生标准。
希华晶振,贴片晶振,SX-2016晶振,贴片谐振器,贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
石英晶振的研磨技术:通过对晶振切割整形后的晶片进行研磨,使石英晶振的晶片达到(厚度/频率)的一定范围。石英晶振晶片厚度与频率的关系为:在压电晶体行业,生产晶振频率的高低是显示鸿星技术水平的一个方面,通过理论与实际相结合,累积多年的晶振研磨经验,通过深入细致地完善石英晶振研磨工艺技术,注重贴片晶振研磨过程的各种细节,注重晶振所用精磨研磨设备的选择;注重所使用水晶、研磨砂的选择等;注重石英晶振研磨用工装如:游轮的设计及选择,从而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、弯曲度都有很好的控制,最终使可研磨的石英晶振晶片的厚度越来越薄,贴片晶振晶片的频率越来越高,为公司在高频石英晶振的研发生产打下坚实基础,提升了晶振厂家的竞争力,使晶振厂家高频石英晶振的研发及生产领先于国内其它公司。
希华晶振 |
单位 |
SX-2016晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
16.000MHz~56.000MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C~+90°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-10°C~+85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推荐:10μW~100μW |
频率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6(标准) |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±10~±15× 10-6/-10°C~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8,12PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C~ +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
这些进口晶振知识介绍是指,晶振在产品上线之后发生不良品或者没反应的情况下,自检办法。石英晶振如果在电路上的功能不规则或根本无法全部晶振找出得到了应用操作,请使用以下的清单找出可能存在的问题。请按照确定的因素和可能的解决方案的说明。我们从晶振使用输出无信号开始寻找相关问题。希华晶振,贴片晶振,SX-2016晶振,贴片谐振器
我们可以先使用示波器或者频率计数器来检查石英晶体终端的两个信号,如果没有信号输出,请按照步骤1-1到1-4步执行检查。如果有从石英晶振(XOUT)的输出端子的输出信号,而是从在终端(辛)输出没有信号,请检查石英晶振体以下step1-5到步骤1-6。
你可以先把晶体卸载下来并测试晶振的频率和负载电容,看看他们是否能振动,也可以使用专业的石英贴片晶体测试仪器来检测 。如果你没法检测你也可以将不良品发送给我公司,我们检测分析之后告诉你结果。如果有下列情况发生,晶振不起振,首先你先查看你产品上使用的负载电容CL是否对,是否跟你的线路相匹配,或者是晶振的精度是否符合你的要求,或者你可以把产品发送回我公司分析。如果晶振频率和负载电容跟要求相对应的话,我们将需要进行等效电路测试。比如等效电路测试如下:
负载电容:如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致2016石英晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示电路的杂散电容。希华晶振,贴片晶振,SX-2016晶振,贴片谐振器
测试条件:(1) 电源电压? 超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。? 电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2) 其他:? 输入电容低于 15 pF? 5倍频率范围或更多测量频率。? 铅探头应尽可能短。? 测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过2016石英晶体谐振器的放大器时,可同时进行测量。(3) 其他:? CL包含探头电容。? 应使用带有小的内部阻抗的电表。? 使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线)
1、振荡电路:晶体谐振器是进口高精度晶体,因此受到电源电压、环境温度、电路的影响。配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和异常运行。因此,在振荡电路的设计中,先决条件之一是如何确定振荡电路。晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后,后续的项目,例如讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。
2。2016贴片晶振角色的分量与参考值:在振荡电路的设计中,必须认识到个体的作用。组件.在表1中,以例如振荡电路为例来描述角色。(图1)使用一个通用的C-MOS IC(74hcuo4ap东芝)。当反馈电阻(rf)未安装在振荡电路中时,如图所示表1,即使在振荡功率作用下,谐振器也不会启动振荡。电路。除非有适当值的电阻器连接,否则振荡不会启动。晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。