NDK晶振集团所处于的事业环境是智能手机市场的扩大已在延缓，但伴随着LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等带来的搭载部件的构成的变化，使得TCXO(温度补偿晶体振荡器)和SAW（弹性表面波）器件的需要在急速增加。由此，本集团将方针转换至面向量产市场的产品的再强化上，把均衡缩减战略切换成成长战略。并且展开在产业设备、车载、传感器领域，利用高的品质力和技术力用实力强的产品创造出利益的中期销售计划。通过赢得客户的高评价和高信赖来确保持续的成长和安定的收益，来努力达成销售额500亿日元企业的复活的目标。
日本NDK晶振集团创造利益，提升企业价值的同时，为了继续提升企业的价值，我们认为维持经营的透明性，确实尽到对各位股份持有者说明的责任这样的公司治理的构筑必不可少，我们把其放在经营最重要的课题之一的位置。日本于2015年6月制定了公司治理石英晶振准则，由此我们迎来了两位外部董事。加大强化相关经营监察机能、遵守法律，确保说明责任，迅速且适当地公布信息，履行环境保全等的社会责任，而从使我们能继续成为所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企业。
NDK晶振,贴片晶振,NX5032SD晶振,进口石英晶振,小型表面贴片晶振型,是标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应10.000MHz以上的频率,在电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
超小型、超低频石英晶振晶片的边缘处理技术：是超小型、超低频石英贴片晶振晶体元器件研发及生产必须解决的技术问题，为压电石英晶振行业的技术难题之一。具体解决的办法是使用高速倒边方式，通过结合以往低速滚筒倒边去除晶振晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使石英晶振晶片的边缘效应不能去除，而石英晶振晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动不稳定。
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NDK晶振 |
单位 |
NX5032SD晶振 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
9.75MHz~40MHz |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-40°C~+125°C |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推荐:10μW~100μW |
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频率公差 |
f_— l |
±15 × 10-6(标准) |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
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频率温度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-10°C~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
12pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C~+60°C,DL =500μW |
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频率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
所有石英晶体谐振器和实时时钟模块都以IC形式提供。噪音:在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。电源线路:电源的线路阻抗应尽可能低。输出负载:建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方（在20 mm范围之间）。NDK晶振,贴片晶振,NX5032SD晶振,进口石英晶振
未用输入终端的处理:未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。热影响:重复的温度巨大变化可能会降低受损害的进口石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。安装方向:振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确。通电:不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作。
超声波清洗:(1)使用AT-切割晶体和表面面滤波器波（SAW）/声表面谐振器的产品,可以通过超声波进行清洗。但是,在某些条件下, 晶振特性可能会受到影响,而且内部线路可能受到损坏。确保已事先检查系统的适用性。（2）使用音叉晶体和陀螺仪传感器的产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗,因为晶振可能受到破坏。（3）请勿清洗开启式晶振产品（4）对于可清洗晶振产品,应避免使用可能对产品产生负面影响的清洗剂或溶剂等。（5）焊料助焊剂的残留会吸收水分并凝固。这会引起诸如位移等其它现象。这将会负面影响产品的可靠性和质量。请清理残余的助焊剂并烘干PCB。
负载电容:如果振荡电路中负载电容的不同，可能导致5032mm晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示电路的杂散电容。NDK晶振,贴片晶振,NX5032SD晶振,进口石英晶振
5032mm石英晶振测试条件:(1)电源电压:超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时，可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）.
晶体谐振腔的形式模式，但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在基本谐振的情况下（MHz频段）反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器（兆赫频带）的情况下，值取决于IC和频率特性，但在几个范围内。K?-?几十K。在5032无源晶振的案例（kHz频段），需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流，调节负电阻和励磁。电平，防止谐振腔的反常振荡，抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制智能穿戴设备晶振电阻值（RD）取决于谐振器的类型，频带和设备的价值。电容器（C1，C2）。精确值是通过测量振荡电路的特性来确定的（包括负电阻和驱动级）。AT切割谐振器（兆赫频带）的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器（kHz频段）的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序，在3 pF的范围内- 33 pF左右，仅供参考。
希华晶振,贴片晶振,CTSX-5032晶振,无源SMD晶振