金洛鑫电子是深圳乃至国内占高技术创新前沿的数一数二的拥有大型生产工厂的晶振厂家之一,自主研发量产的晶振有3*8,2*6,32.768K,7050mm,6035mm,5032mm,4025mm,3225mm,2520mm等多款贴片型或插件型晶振,保证正品,每一颗贴片晶振都是经过三十几道工序精心打造,主要面向的客户群体有电子产品生产商,智能手机,智能家居,无人机,机器人,数码IT,钟表类等多个产品领域.
石英晶振,国产晶振,LUO-2520晶振.2.5*2.0mm贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.
石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。
石英晶振 |
标示 |
LUO-2520晶振 |
基本信息对照表 |
crystal标准频率 |
f_nom |
12.000MHz~66.000MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C~+90°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-30°C~+85°C |
晶振标准温度 |
激励功率 |
DL |
10(100)μW Max. |
推荐:10μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±10× 10-6(标准) |
+25°C 对于超出标准的规格说明 |
频率温度特征 |
f_tem |
±10、±15× 10-6/-30°C ~+85°C |
超出标准的规格请联系金洛鑫电子. |
负载电容 |
CL |
8pF、12pF |
超出标准说明,请联系金洛鑫电子. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C ~+85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
超声波清洗
(1)使用AT-切割晶体和表面声波(SAW)谐振器/声表面滤波器的产品,可以通过超声波进行清洗。但是,在某些条件下, 晶体特性可能会受到影响,而且内部线路可能受到损坏。确保已事先检查系统的适用性。
(2)使用音叉晶体和陀螺仪传感器的产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗,因为晶体可能受到破坏。
(3)请勿清洗开启式产品
(4)对于可清洗产品,应避免使用可能对石英水晶谐振器产生负面影响的清洗剂或溶剂等。
(5)焊料助焊剂的残留会吸收水分并凝固。这会引起诸如位移等其它现象。这将会负面影响晶振的可靠性和质量。请清理残余的助焊剂并烘干PCB。
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用耐高温晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致石英晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。
设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考