京瓷晶振,有源晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振,石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内。
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
京瓷晶振集团在全球的事业涉及原料、零件、设备、机器,以及服务、网络等各个领域。在集团内部,若将相关的有源晶振,压控晶体振荡器,晶振,石英晶振, 石英晶体振荡器等产品和事业视为一条生产线,其开发、生产、销售以及物流等等,所有程序都被有机地结合起来,并且有效地利用现有经营资源,通过发挥协同效应,使其构筑得更加牢固。
京瓷晶振所有的生产线都具备顺应时代变化的速度感,通过融合集团的独特技术,进一步积极创造新产品、开拓新市场。为了回应客户的期待,京瓷石英晶体振荡器,有源晶振,石英晶振,压控振荡器,在价格、质量、服务等所有方面都渗透“客户第一”的理念,不断为全球市场奉献新价值。
京瓷晶振规格 |
KC2016B-C1晶振 |
驱动输出 |
CMOS |
常用频率 |
1.5~50MHZ |
工作电压 |
+1.6~3.63V(代表値) |
静态电流 |
(工作时)+1.2 mA max. (F≦15MHz)+1.4 mA max. (15<F≦26MHz) |
TCXO输出电压 |
0.8Vp-p min. |
TCXO输出负载 |
(10kΩ//10pF) ±10% |
常规温度偏差 |
±20/30/50×10-6(After 2 reflows) |
频率温度偏差 |
±30×10-6/-40℃~+85℃ |
±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション) |
Kyocera日产有源兆赫兹晶振型号列表:
Series | Part Status | Frequency 频率 | Voltage - Supply电压 | Operating Temperature 工作温度 | Size / Dimension 尺寸 | Height - Seated (Max)高度 |
KC2016B-C1, Kyocera | Active | 25MHz | 1.6 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) | 0.022" (0.55mm) |
KC2016B-C1, Kyocera | Active | 25MHz | 1.6 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) | 0.022" (0.55mm) |
KC2016B-C1, Kyocera | Active | 25MHz | 1.6 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) | 0.022" (0.55mm) |
KC2520C-C1, Kyocera | Active | 38.4MHz | 1.8V | -40°C ~ 85°C | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.028" (0.70mm) |
KC2520C-C1, Kyocera | Active | 38.4MHz | 1.8V | -40°C ~ 85°C | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.028" (0.70mm) |
KC2520C-C1, Kyocera | Active | 38.4MHz | 1.8V | -40°C ~ 85°C | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.028" (0.70mm) |
KC5032A-C1, Kyocera | Active | 100MHz | 1.6 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047" (1.20mm) |
Kyocera日产有源兆赫兹晶振代码列表:
Manufacturer Part Number | Manufacturer | Series | Part Status | Frequency 频率 | Voltage - Supply电压 | Operating Temperature 工作温度 | Size / Dimension 尺寸 | Height - Seated (Max)高度 |
KC2016B25.0000C1GE00 | AVX Corp/Kyocera Corp | KC2016B-C1, Kyocera | Active | 25MHz | 1.6 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) | 0.022" (0.55mm) |
KC2016B25.0000C1GE00 | AVX Corp/Kyocera Corp | KC2016B-C1, Kyocera | Active | 25MHz | 1.6 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) | 0.022" (0.55mm) |
KC2016B25.0000C1GE00 | AVX Corp/Kyocera Corp | KC2016B-C1, Kyocera | Active | 25MHz | 1.6 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) | 0.022" (0.55mm) |
KC2520C38.4000C1LE00 | AVX Corp/Kyocera Corp | KC2520C-C1, Kyocera | Active | 38.4MHz | 1.8V | -40°C ~ 85°C | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.028" (0.70mm) |
KC2520C38.4000C1LE00 | AVX Corp/Kyocera Corp | KC2520C-C1, Kyocera | Active | 38.4MHz | 1.8V | -40°C ~ 85°C | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.028" (0.70mm) |
KC2520C38.4000C1LE00 | AVX Corp/Kyocera Corp | KC2520C-C1, Kyocera | Active | 38.4MHz | 1.8V | -40°C ~ 85°C | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.028" (0.70mm) |
KC5032A100.000C1GE00 | AVX Corp/Kyocera Corp | KC5032A-C1, Kyocera | Active | 100MHz | 1.6 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047" (1.20mm) |
晶振产品使用每种产品时,请在CMOS晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。京瓷晶振,有源晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振
2016晶振产品的设计和生产直到出厂,都会经过严格的测试检测来满足它的规格要求。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高的可靠性的石英晶振.但是为了石英晶振的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安 装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用石英晶振所导致的不良不负任何责任。
机械振动的影响:当金属面晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。
此外,振荡频率与测量点不同。1。测量缓冲输出2。振荡级输出测量三.通过电容器测量振荡级输出图5示出以上1-3个测量点和所测量的除缓冲器输出外,振荡频率较低。京瓷晶振,有源晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振
测试条件:(1)电源电压:超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量2016低相位振荡器频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线).
晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在小体积MHZ系列晶振基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制电阻值(RD)取决于谐振器的类型,频带和设备的价值。电容器(C1,C2)。精确值是通过2016金属面晶振测量振荡电路的特性来确定的(包括负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。